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MMBT2907A-G

MMBT2907A-G Comchip Technology

MMBT2907A-G%20RevB.pdf Hersteller: Comchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 57000 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details MMBT2907A-G Comchip Technology

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 250 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT2907A-G MMBT2907A-G Hersteller : Comchip Technology 309mmbt2907a-g20revb.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907A-G MMBT2907A-G Hersteller : Comchip Technology MMBT2907A-G%20RevB.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
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MMBT2907A-G MMBT2907A-G Hersteller : Comchip Technology MMBT2907A-G_RevB-1481556.pdf RF Bipolar Transistors VCEO=60V IC=600mA
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MMBT2907A_G Hersteller : onsemi / Fairchild MMBT2907A-1121070.pdf Bipolar Transistors - BJT
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