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MMBT2907AH RFG

MMBT2907AH RFG Taiwan Semiconductor

mmbt2907ah_a2504.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23
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Technische Details MMBT2907AH RFG Taiwan Semiconductor

Description: SOT-23, -60V, -0.6A, PNP TRANSI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 350 mW, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2907AH RFG MMBT2907AH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=MMBT2907AH Description: SOT-23, -60V, -0.6A, PNP TRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q101
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MMBT2907AH RFG MMBT2907AH RFG Taiwan Semiconductor mmbt2907ah_a2504.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23
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MMBT2907AH RFG MMBT2907AH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=MMBT2907AH Description: SOT-23, -60V, -0.6A, PNP TRANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q101
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MMBT2907AH RFG MMBT2907AH RFG Taiwan Semiconductor pdf.php?pn=MMBT2907AH Bipolar Transistors - BJT SOT-23, -60V, -0.6A, PNP Transistor
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Supplier Device Package: SOT-23
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
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Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
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