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MMBT3416LT3G

MMBT3416LT3G onsemi

mmbt3416lt3-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details MMBT3416LT3G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2128+0.082 EUR
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G onsemi mmbt3416lt3-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 40 V NPN Bipolar Transistor
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29+0.12 EUR
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2500+0.046 EUR
5000+0.044 EUR
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 71410 Stücke:
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 71410 Stücke:
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1051+0.24 EUR
1752+0.13 EUR
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30189 Stücke:
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939+0.18 EUR
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2128+0.071 EUR
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G onsemi mmbt3416lt3-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3416LT3G MMBT3416LT3G ON Semiconductor mmbt3416lt3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
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MMBT3416LT3G ONSEMI ONSM-S-A0005578292-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 200000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 21739 Stücke
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MMBT3416LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30189 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2128+0.082 EUR
2151+0.081 EUR
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MMBT3416LT3G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 40 V NPN Bipolar Transistor
auf Bestellung 104425 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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29+0.12 EUR
100+0.074 EUR
500+0.061 EUR
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MMBT3416LT3G ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3416LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 71410 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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1752+0.13 EUR
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4652+0.046 EUR
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MMBT3416LT3G ONSM-S-A0013299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3416LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 71410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1051+0.24 EUR
1752+0.13 EUR
2817+0.076 EUR
3704+0.058 EUR
4652+0.046 EUR
5236+0.04 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT3416LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
614+0.29 EUR
939+0.18 EUR
1065+0.15 EUR
2097+0.075 EUR
2128+0.071 EUR
2151+0.067 EUR
4274+0.032 EUR
4386+0.031 EUR
6000+0.025 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT3416LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
auf Bestellung 19924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+0.33 EUR
91+0.24 EUR
167+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.069 EUR
2000+0.057 EUR
5000+0.054 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT3416LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3416LT3G mmbt3416lt3-d.pdf
MMBT3416LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 463 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3416LT3G ONSM-S-A0005578292-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3416LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 200000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
21739+0.055 EUR
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