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MMBT3904FA-7B

MMBT3904FA-7B Diodes Incorporated

MMBT3904FA.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.2A X2-DFN0806-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details MMBT3904FA-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 435mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT3904FA-7B MMBT3904FA-7B Hersteller : Diodes Incorporated MMBT3904FA.pdf Bipolar Transistors - BJT 40V NPN SM Trans 435mW 40V Vceo
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MMBT3904FA-7B MMBT3904FA-7B Hersteller : DIODES INC. DIODS20141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMBT3904FA-7B MMBT3904FA-7B Hersteller : DIODES INC. DIODS20141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT3904FA-7B MMBT3904FA-7B Hersteller : Diodes Inc mmbt3904fa.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R
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MMBT3904FA-7B MMBT3904FA-7B Hersteller : Diodes Zetex mmbt3904fa.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R
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MMBT3904FA-7B MMBT3904FA-7B Hersteller : Diodes Incorporated MMBT3904FA.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A X2-DFN0806-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 435 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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MMBT3904FA-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBT3904FA.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 435mW; X2-DFN0806-3
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: X2-DFN0806-3
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 435mW
Pulsed collector current: 0.5A
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Quantity in set/package: 10000pcs.
Frequency: 300MHz
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