MMBT3904H RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN TRANSISTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
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Technische Details MMBT3904H RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MMBT3904HRFG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBT3904H RFG nach Preis ab 0.037 EUR bis 0.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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MMBT3904H RFG | Taiwan Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 |
auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904H RFG | Taiwan Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 |
auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904H RFG | Taiwan Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT SOT-23, 60V, 0.2A, NPN Transistor |
auf Bestellung 12695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT3904H RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN TRANSISTO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW |
auf Bestellung 4670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT3904HRFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MMBT3904HRFG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBT3904H RFG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1454+ | 0.12 EUR |
| 1924+ | 0.09 EUR |
| 2189+ | 0.077 EUR |
| 3774+ | 0.044 EUR |
| MMBT3904H RFG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 532+ | 0.33 EUR |
| 869+ | 0.19 EUR |
| 1439+ | 0.11 EUR |
| 1454+ | 0.1 EUR |
| 1924+ | 0.075 EUR |
| 2189+ | 0.063 EUR |
| 3774+ | 0.037 EUR |
| MMBT3904H RFG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT SOT-23, 60V, 0.2A, NPN Transistor
Bipolar Transistors - BJT SOT-23, 60V, 0.2A, NPN Transistor
auf Bestellung 12695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.36 EUR |
| 16+ | 0.23 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.088 EUR |
| 3000+ | 0.071 EUR |
| 6000+ | 0.063 EUR |
| MMBT3904H RFG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN TRANSISTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
Description: SOT-23, 60V, 0.2A, NPN TRANSISTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 0.36 EUR |
| 96+ | 0.21 EUR |
| 154+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.099 EUR |
| 1000+ | 0.087 EUR |
| MMBT3904HRFG |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MMBT3904HRFG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MMBT3904HRFG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)