MMBT3904LP-7B Diodes Incorporated
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.67 EUR |
| 10+ | 0.38 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
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Technische Details MMBT3904LP-7B Diodes Incorporated
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 40V, Collector current: 0.2A, Power dissipation: 1W, Case: X1-DFN1006-3, Current gain: 30...300, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 300MHz, Manufacturer standard package: 10000pcs., Pulsed collector current: 0.2A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MMBT3904LP-7B | Diodes INC. |
 Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: DFN1006-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
verfügbar 3 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBT3904LP-7B |
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Hersteller: Diodes INC.
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: DFN1006-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: DFN1006-3 Од. вим: шт
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