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MMBT3904LT3G

MMBT3904LT3G onsemi

mmbt3904lt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 11921 Stücke:
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Technische Details MMBT3904LT3G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2553 Stücke:
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878+0.2 EUR
1163+0.14 EUR
1350+0.12 EUR
2184+0.071 EUR
2208+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 878 Stücke
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G onsemi mmbt3904lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
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14+0.25 EUR
22+0.15 EUR
100+0.096 EUR
500+0.071 EUR
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Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G onsemi mmbt3904lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
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134+0.15 EUR
217+0.096 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.061 EUR
2000+0.054 EUR
5000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 47227 Stücke:
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800+0.31 EUR
1516+0.15 EUR
2565+0.083 EUR
3732+0.057 EUR
5000+0.048 EUR
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT3904LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT3904LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.31 EUR
1516+0.15 EUR
2565+0.083 EUR
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MMBT3904LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 715 Stücke
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Hersteller: ONN
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