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MMBT3904LT3G

MMBT3904LT3G ON Semiconductor

mmbt3904lt1d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT3904LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : onsemi mmbt3904lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : onsemi MMBT3904LT1_D-1811574.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : onsemi mmbt3904lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
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5000+0.033 EUR
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013298766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3904LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : ONSEMI mmbt3904lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT3904LT3G MMBT3904LT3G Hersteller : ONSEMI mmbt3904lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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