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MMBT3904TT1G

MMBT3904TT1G ON Semiconductor


mmbt3904tt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details MMBT3904TT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3904TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Möglichen Substitutionen MMBT3904TT1G ON Semiconductor

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT3904LT1G /ONS диод MMBT3904LT1G /ONS диод
Produktcode: 58026
Hersteller : ON mmbt3904lt1-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: SMD
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904tt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904tt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904tt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : onsemi mmbt3904tt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904tt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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2174+0.072 EUR
2193+ 0.069 EUR
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904tt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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1071+ 0.14 EUR
1083+ 0.13 EUR
2115+ 0.066 EUR
2179+ 0.061 EUR
2193+ 0.059 EUR
3650+ 0.034 EUR
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904tt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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2193+ 0.059 EUR
3650+ 0.034 EUR
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : onsemi MMBT3904TT1_D-2315982.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V NPN
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30000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 154
MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : onsemi mmbt3904tt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : ONSEMI 1571912.pdf Description: ONSEMI - MMBT3904TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 36050 Stücke:
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : ONSEMI 1571912.pdf Description: ONSEMI - MMBT3904TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 300mW
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 300MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013777044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3904TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 147000 Stücke:
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904tt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 417000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT3904TT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt3904tt1-d.pdf NPN 200mA 40V 200mW 300MHz MMBT3904TT1G TMMBT3904tt
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Mindestbestellmenge: 1000
MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904tt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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MMBT3904TT1G MMBT3904TT1G
Produktcode: 44931
mmbt3904tt1g.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-416, SC-75
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
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