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MMBT3906 RFG

MMBT3906 RFG Taiwan Semiconductor Corporation

MMBT3906_I2208.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.03 EUR
75000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details MMBT3906 RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 350 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT3906 RFG MMBT3906 RFG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA90EC7322C63400C4&compId=MMBT3906.pdf?ci_sign=1fc7dd8ee560b3ba48f3364241addc06bc7ad110 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.07 EUR
1433+0.05 EUR
1840+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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MMBT3906 RFG MMBT3906 RFG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA90EC7322C63400C4&compId=MMBT3906.pdf?ci_sign=1fc7dd8ee560b3ba48f3364241addc06bc7ad110 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
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MMBT3906 RFG MMBT3906 RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor MMBT3906_I2208.pdf Bipolar Transistors - BJT -40V, -0.2A, PNP Bipolar Transistor
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MMBT3906 RFG MMBT3906 RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906_I2208.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
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1000+0.06 EUR
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MMBT3906 RFG MMBT3906 RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor mmbt3906_i2208.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5043 Stücke:
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MMBT3906 RFG MMBT3906 RFG Hersteller : Taiwan Semiconductor mmbt3906_i2208.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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