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MMBT3906 RFG

MMBT3906 RFG Taiwan Semiconductor Corporation

MMBT3906_I2208.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.061 EUR
6000+0.054 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.046 EUR
21000+0.044 EUR
30000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details MMBT3906 RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 350 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT3906 RFG MMBT3906 RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR MMBT3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 1534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
695+0.12 EUR
1158+0.074 EUR
1534+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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MMBT3906 RFG MMBT3906 RFG Taiwan Semiconductor MMBT3906_I2208.pdf Bipolar Transistors - BJT -40V, -0.2A, PNP Bipolar Transistor
auf Bestellung 10505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
3000+0.058 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MMBT3906 RFG MMBT3906 RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906_I2208.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 38449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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MMBT3906 RFG
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.35W; SOT23-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
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Bipolar Transistors - BJT -40V, -0.2A, PNP Bipolar Transistor
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MMBT3906 RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
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