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MMBT3906.215

MMBT3906.215 ON

mmbt3906-datasheeton.pdf
Produktcode: 23943
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40
U, V: 40
I, А: 0.2
h21,max: 300
verfügbar: 239 St.
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  • 9 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
1+0.048 EUR
10+0.034 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 474000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4902+0.03 EUR
6000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 4902 Stücke
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 474000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4902+0.03 EUR
6000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 4902 Stücke
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4505+0.032 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 4505 Stücke
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4485+0.033 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4485 Stücke
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 1140750 Stücke:
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3000+0.041 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 64430 Stücke:
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12049+0.045 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 468000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.052 EUR
12000+0.047 EUR
27000+0.046 EUR
51000+0.043 EUR
102000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2565+0.057 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G On Semiconductor MMBT3906LT1-D.pdf SOT23 Транзистори
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 NEXPERIA MMBT3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 2549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.11 EUR
926+0.077 EUR
1421+0.05 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ONSEMI MMBT3906LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 10208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.14 EUR
794+0.09 EUR
1132+0.063 EUR
1316+0.054 EUR
1793+0.04 EUR
2050+0.035 EUR
2223+0.032 EUR
3000+0.028 EUR
6000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
678+0.21 EUR
679+0.19 EUR
680+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
691+0.21 EUR
1114+0.13 EUR
1842+0.074 EUR
2565+0.051 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 1141004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.23 EUR
129+0.14 EUR
209+0.084 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
auf Bestellung 9804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.26 EUR
20+0.15 EUR
100+0.09 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 44296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 44296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MMBT3906LT1G ON-Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf PNP 200mA 40V 300mW 250MHz MMBT3906T1G ONS TMMBT3906lt
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 39988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6000+0.009 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MMBT3906LT1G ON Semiconductor MMBT3906LT1-D.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 7095 Stücke:
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MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 474000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
4902+0.03 EUR
6000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 4902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 474000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
4902+0.03 EUR
6000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 4902 Stücke
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MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
4505+0.032 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 4505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
4485+0.033 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4485 Stücke
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MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 1140750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.041 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 64430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
12049+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 12049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 468000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.052 EUR
12000+0.047 EUR
27000+0.046 EUR
51000+0.043 EUR
102000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2565+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 2565 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1-D.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: On Semiconductor
SOT23 Транзистори
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
50+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906,215 MMBT3906.pdf
MMBT3906,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 2549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
625+0.11 EUR
926+0.077 EUR
1421+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G.PDF
MMBT3906LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 10208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
500+0.14 EUR
794+0.09 EUR
1132+0.063 EUR
1316+0.054 EUR
1793+0.04 EUR
2050+0.035 EUR
2223+0.032 EUR
3000+0.028 EUR
6000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
678+0.21 EUR
679+0.19 EUR
680+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 678 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
681+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
691+0.21 EUR
1114+0.13 EUR
1842+0.074 EUR
2565+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 691 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 1141004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
77+0.23 EUR
129+0.14 EUR
209+0.084 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
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MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
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MMBT3906LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 44296 Stücke:
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MMBT3906LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 44296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MMBT3906LT1G mmbt3906lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
PNP 200mA 40V 300mW 250MHz MMBT3906T1G ONS TMMBT3906lt
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AnzahlPreis
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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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MMBT3904LT1G /ONS
Produktcode: 58026
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mmbt3904lt1-d.pdf
MMBT3904LT1G /ONS
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
Montage: SMD
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MMBT3904
Produktcode: 176831
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datasheet-mmbt3904-jin.pdf
MMBT3904
Hersteller: JINGDAO
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
Montage: SMD
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LD1117S33TR
Produktcode: 28861
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description cd00000544-1795431.pdf
LD1117S33TR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Uin, V: 15
Uout,V: 3.3
Iout,A: 0.8
Udrop, V: 1.1
Bemerkung: Fixed
Temperaturbereich: 0…150
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10 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 387
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RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet 10.08.2026
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100+0.004 EUR
1000+0.0034 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SN74LVC1G126DBVR
Produktcode: 32266
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74lvc1g126
SN74LVC1G126DBVR
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SOT-23-5
Beschreibung: Buffers & Line Drivers Single Bus Buffer
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 1,65…5,5V
T°C: -40…+85°C
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