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MMBT3906.215

MMBT3906.215 ON

mmbt3906-datasheeton.pdf
Produktcode: 23943
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40
U, V: 40
I, А: 0.2
h21,max: 300
verfügbar 435 Stück:
230 Stück - stock Köln
205 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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1+0.048 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+0.017 EUR
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7752+0.018 EUR
9000+0.017 EUR
24000+0.012 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6667+0.021 EUR
10639+0.013 EUR
10753+0.012 EUR
30000+0.011 EUR
75000+0.01 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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10639+0.013 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 990000 Stücke:
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3000+0.033 EUR
6000+0.029 EUR
9000+0.027 EUR
15000+0.025 EUR
21000+0.024 EUR
30000+0.023 EUR
75000+0.02 EUR
150000+0.018 EUR
300000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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4033+0.035 EUR
9010+0.015 EUR
27000+0.014 EUR
51000+0.013 EUR
102000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 4033
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NXP Semiconductors mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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15152+0.035 EUR
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NXP Semiconductors mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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15152+0.035 EUR
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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15152+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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15152+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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4017+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4017
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. MMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.038 EUR
6000+0.034 EUR
9000+0.032 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 380060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3534+0.04 EUR
3953+0.035 EUR
7353+0.018 EUR
10870+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 3534
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1552907C16469&compId=MMBT3906LT1G.PDF?ci_sign=e1227555734e612d71076dfc629a08aa2c7ea9f0 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 5869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
881+0.081 EUR
1283+0.056 EUR
1954+0.037 EUR
2326+0.031 EUR
3206+0.022 EUR
3522+0.02 EUR
4386+0.016 EUR
4630+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 881
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1552907C16469&compId=MMBT3906LT1G.PDF?ci_sign=e1227555734e612d71076dfc629a08aa2c7ea9f0 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5869 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
881+0.081 EUR
1283+0.056 EUR
1954+0.037 EUR
2326+0.031 EUR
3206+0.022 EUR
3522+0.02 EUR
4386+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 881
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA MMBT3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7993 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
794+0.09 EUR
1180+0.061 EUR
1393+0.051 EUR
2000+0.036 EUR
3624+0.02 EUR
3847+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA MMBT3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 7993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
794+0.09 EUR
1180+0.061 EUR
1393+0.051 EUR
2000+0.036 EUR
3624+0.02 EUR
3847+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 23315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
926+0.15 EUR
1471+0.094 EUR
2410+0.055 EUR
3390+0.038 EUR
3803+0.032 EUR
6994+0.017 EUR
11236+0.01 EUR
15000+0.0099 EUR
21000+0.0098 EUR
Mindestbestellmenge: 926
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 77651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
943+0.15 EUR
946+0.14 EUR
947+0.13 EUR
950+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 943
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 77651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
950+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
30000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 950
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 380060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
968+0.15 EUR
1537+0.09 EUR
2526+0.053 EUR
3534+0.036 EUR
3953+0.031 EUR
7353+0.016 EUR
10870+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 968
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 991208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
167+0.11 EUR
274+0.064 EUR
500+0.046 EUR
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia MMBT3906.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 40V .2A PNP BJT
auf Bestellung 420982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+0.17 EUR
31+0.092 EUR
100+0.056 EUR
500+0.04 EUR
1000+0.037 EUR
3000+0.023 EUR
6000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : onsemi MMBT3906LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
auf Bestellung 346934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+0.17 EUR
27+0.11 EUR
100+0.065 EUR
500+0.048 EUR
1000+0.042 EUR
3000+0.033 EUR
6000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. MMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.19 EUR
145+0.12 EUR
236+0.075 EUR
500+0.054 EUR
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS11180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS11180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA 454048.pdf Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT3906LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt3906lt1-d.pdf PNP 200mA 40V 300mW 250MHz MMBT3906T1G ONS TMMBT3906lt
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MMBT3906LT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf SOT23
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MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 10 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА; Р, Вт = 0,225 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
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MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - TRANSISTOR, PNP, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 93929 Stücke:
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT1G Hersteller : Diodes Incorporated mmbt3906lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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MMBT3904LT1G /ONS диод
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: SMD
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Hersteller: JINGDAO
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
ZCODE: SMD
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MMBT3906
Produktcode: 160583
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mmbt3906-sot23.pdf
MMBT3906
Hersteller: Yangjie/Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40 V
U, V: 40 V
I, А: 0,2 A
h21,max: 300
auf Bestellung 2924 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 20948 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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