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MMBT3906.215

MMBT3906.215 ON

mmbt3906-datasheeton.pdf
Produktcode: 23943
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40
U, V: 40
I, А: 0.2
h21,max: 300
verfügbar 430 Stück:
230 Stück - stock Köln
200 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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1+0.048 EUR
10+0.034 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2793000 Stücke:
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 924000 Stücke:
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9091+0.016 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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8621+0.017 EUR
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NXP Semiconductors mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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18988+0.028 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 710680 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.033 EUR
6000+0.029 EUR
9000+0.027 EUR
15000+0.025 EUR
21000+0.024 EUR
30000+0.022 EUR
75000+0.02 EUR
150000+0.018 EUR
300000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 71630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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15874+0.034 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4099+0.035 EUR
9000+0.027 EUR
27000+0.024 EUR
51000+0.021 EUR
102000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 4099
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 380060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3847+0.037 EUR
4406+0.031 EUR
10753+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI MMBT3906LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8735 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.072 EUR
1220+0.059 EUR
1690+0.042 EUR
1977+0.036 EUR
2763+0.026 EUR
3145+0.023 EUR
3788+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI MMBT3906LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 8735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.072 EUR
1220+0.059 EUR
1690+0.042 EUR
1977+0.036 EUR
2763+0.026 EUR
3145+0.023 EUR
3788+0.019 EUR
6000+0.017 EUR
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA MMBT3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7271 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
926+0.077 EUR
1421+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA MMBT3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 7271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
926+0.077 EUR
1421+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 74095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1064+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1064
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 380060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1083+0.13 EUR
1719+0.08 EUR
2771+0.048 EUR
3847+0.033 EUR
4406+0.028 EUR
10753+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 1083
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 74095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1056+0.14 EUR
1058+0.13 EUR
1061+0.12 EUR
1064+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1056
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 710680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
170+0.1 EUR
274+0.064 EUR
500+0.046 EUR
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
914+0.16 EUR
1450+0.095 EUR
2337+0.057 EUR
3247+0.039 EUR
3718+0.033 EUR
9091+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 914
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : onsemi MMBT3906LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
auf Bestellung 143937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+0.17 EUR
27+0.11 EUR
100+0.076 EUR
500+0.062 EUR
1000+0.058 EUR
3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 80323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA 454048.pdf Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 570000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G Hersteller : ON-Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf PNP 200mA 40V 300mW 250MHz MMBT3906T1G ONS TMMBT3906lt
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 39988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.0088 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf SOT23
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 10 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА; Р, Вт = 0,225 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 7149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - TRANSISTOR, PNP, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 80323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. MMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia MMBT3906.pdf Bipolar Transistors - BJT MMBT3906/SOT23/TO-236AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G Hersteller : Diodes Incorporated mmbt3906lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. MMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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MMBT3904LT1G /ONS диод
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MMBT3904LT1G /ONS диод
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2849 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.03 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904
Produktcode: 176831
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MMBT3904
Hersteller: JINGDAO
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1694 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT3906
Produktcode: 160583
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mmbt3906-sot23.pdf
MMBT3906
Hersteller: Yangjie/Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40 V
U, V: 40 V
I, А: 0,2 A
h21,max: 300
auf Bestellung 2873 Stück:
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 41421 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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