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MMBT3906.215

MMBT3906.215 ON

mmbt3906-datasheeton.pdf
Produktcode: 23943
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40
U, V: 40
I, А: 0.2
h21,max: 300
verfügbar 487 Stück:
230 Stück - stock Köln
257 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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1+0.05 EUR
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6290+0.02 EUR
7195+0.02 EUR
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15000+0.02 EUR
21000+0.01 EUR
75000+0.01 EUR
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Mindestbestellmenge: 6290
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6411+0.02 EUR
7195+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.01 EUR
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300000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6411
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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7143+0.02 EUR
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
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8131+0.02 EUR
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24000+0.01 EUR
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 72000 Stücke:
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9000+0.02 EUR
24000+0.02 EUR
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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24000+0.01 EUR
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 81000 Stücke:
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3000+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 336000 Stücke:
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5377+0.03 EUR
6173+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.02 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.01 EUR
150000+0.01 EUR
300000+0.01 EUR
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 336000 Stücke:
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5495+0.03 EUR
6212+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.02 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.01 EUR
150000+0.01 EUR
300000+0.01 EUR
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. MMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 380180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3509+0.04 EUR
4256+0.03 EUR
5781+0.02 EUR
6494+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.01 EUR
75000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3509
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 97430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NXP Semiconductors mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 35644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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15152+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NXP Semiconductors mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15152+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15152+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15152+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1552907C16469&compId=MMBT3906LT1G.PDF?ci_sign=e1227555734e612d71076dfc629a08aa2c7ea9f0 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11866 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
606+0.12 EUR
1064+0.07 EUR
1553+0.05 EUR
1832+0.04 EUR
2674+0.03 EUR
2703+0.03 EUR
2858+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 606
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD1552907C16469&compId=MMBT3906LT1G.PDF?ci_sign=e1227555734e612d71076dfc629a08aa2c7ea9f0 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 11866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
606+0.12 EUR
1064+0.07 EUR
1553+0.05 EUR
1832+0.04 EUR
2674+0.03 EUR
2703+0.03 EUR
2858+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 606
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA MMBT3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 8179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
820+0.09 EUR
1051+0.07 EUR
1263+0.06 EUR
1534+0.05 EUR
3624+0.02 EUR
3847+0.02 EUR
3938+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA MMBT3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8179 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
820+0.09 EUR
1051+0.07 EUR
1263+0.06 EUR
1534+0.05 EUR
3624+0.02 EUR
3847+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 79547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
995+0.15 EUR
996+0.14 EUR
999+0.13 EUR
1002+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 995
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 79547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1002+0.15 EUR
1004+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
30000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1002
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 380180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1021+0.15 EUR
1473+0.10 EUR
2605+0.05 EUR
3509+0.04 EUR
4256+0.03 EUR
5650+0.02 EUR
6494+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1021
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : onsemi MMBT3906LT1_D-1811957.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
auf Bestellung 545265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+0.17 EUR
24+0.12 EUR
100+0.07 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 82684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.18 EUR
162+0.11 EUR
265+0.07 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. MMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 38938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.19 EUR
143+0.12 EUR
231+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : Nexperia MMBT3906.pdf Bipolar Transistors - BJT 40 V, 200 mA PNP switching transistor
auf Bestellung 460177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+0.20 EUR
25+0.11 EUR
100+0.07 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
3000+0.02 EUR
6000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 395 Stücke:
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS11180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8775 Stücke:
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 106269 Stücke:
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA 454048.pdf Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 21000 Stücke:
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906,215 MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt3906lt1-d.pdf PNP 200mA 40V 300mW 250MHz MMBT3906T1G ONS TMMBT3906lt
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MMBT3906LT1G Hersteller : ONS mmbt3906lt1-d.pdf Транзистор биполярный PNP SOT-23-3
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100+0.09 EUR
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MMBT3906LT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf SOT23
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MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 10 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА; Р, Вт = 0,225 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
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MMBT3906LT1G Hersteller : ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - TRANSISTOR, PNP, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 106269 Stücke:
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MMBT3906,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS11180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - TRANSISTOR, PNP, 40V, 0.2A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT1G Hersteller : Diodes Incorporated mmbt3906lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3904LT1G /ONS диод
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: SMD
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MMBT3904
Produktcode: 176831
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MMBT3904
Hersteller: JINGDAO
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2895 Stück:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906
Produktcode: 160583
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mmbt3906-sot23.pdf
MMBT3906
Hersteller: Yangjie/Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40 V
U, V: 40 V
I, А: 0,2 A
h21,max: 300
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 53573 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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