MMBT3906.215 ON
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| Anzahl | Preis |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3213000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3213000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 72430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906,215 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 156000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 380060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5309 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
auf Bestellung 5309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 380060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 77401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 77401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP |
auf Bestellung 131178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 1186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT3906,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 40V .2A PNP BJT |
auf Bestellung 38312 Stücke: Lieferzeit 386-390 Tag (e) |
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MMBT3906,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 250MHz |
auf Bestellung 17494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 250MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17494 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT3906,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 88853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MMBT3906,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236ABtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 570000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
PNP 200mA 40V 300mW 250MHz MMBT3906T1G ONS TMMBT3906ltAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 40038 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | Hersteller : On Semiconductor |
SOT23 |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор PNP; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 10 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА; Р, Вт = 0,225 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
auf Bestellung 7149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - TRANSISTOR, PNP, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 88853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBT3906LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MMBT3906LT1G | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBT3906,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| MMBT3904LT1G /ONS диод Produktcode: 58026
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2891 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.1 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.012 EUR |
| MMBT3904 Produktcode: 176831
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: JINGDAO
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2050 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMBT3906 Produktcode: 160583
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Yangjie/Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40 V
U, V: 40 V
I, А: 0,2 A
h21,max: 300
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40 V
U, V: 40 V
I, А: 0,2 A
h21,max: 300
auf Bestellung 2969 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4007 Produktcode: 176822
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 7009 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 81000 Stück:
80000 Stück - erwartet 27.11.2025Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH










