MMBT3906LP-7 Diodes Zetex
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.09 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MMBT3906LP-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote MMBT3906LP-7 nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT3906LP-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 189000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
MMBT3906LP-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP |
auf Bestellung 9359 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT3906LP-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 190347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
MMBT3906LP-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
MMBT3906LP-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
MMBT3906LP-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
MMBT3906LP-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
MMBT3906LP-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| MMBT3906LP-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1W Case: X1-DFN1006-3 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 3000pcs. Pulsed collector current: 0.2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| MMBT3906LP-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 1W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1W Case: X1-DFN1006-3 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 3000pcs. Pulsed collector current: 0.2A |
Produkt ist nicht verfügbar |