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MMBT3906LT3G

MMBT3906LT3G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT3906LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.04 EUR
20000+0.036 EUR
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MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3106+0.057 EUR
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4116+0.042 EUR
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MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ON Semiconductor mmbt3906lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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919+0.19 EUR
1283+0.13 EUR
1380+0.12 EUR
2037+0.077 EUR
2128+0.071 EUR
3106+0.046 EUR
3425+0.04 EUR
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MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
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129+0.17 EUR
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MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G onsemi mmbt3906lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
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20+0.18 EUR
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500+0.075 EUR
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5000+0.048 EUR
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MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 61139 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBT3906LT3G MMBT3906LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT3906LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT3906LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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20000+0.026 EUR
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MMBT3906LT3G
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Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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30000+0.029 EUR
50000+0.027 EUR
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MMBT3906LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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20000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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MMBT3906LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12670 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3106+0.057 EUR
3425+0.051 EUR
4116+0.042 EUR
6000+0.032 EUR
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MMBT3906LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
919+0.19 EUR
1283+0.13 EUR
1380+0.12 EUR
2037+0.077 EUR
2128+0.071 EUR
3106+0.046 EUR
3425+0.04 EUR
4116+0.033 EUR
6000+0.026 EUR
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MMBT3906LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 90058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+0.27 EUR
129+0.17 EUR
209+0.1 EUR
500+0.073 EUR
1000+0.063 EUR
2000+0.056 EUR
5000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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MMBT3906LT3G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
auf Bestellung 45712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+0.29 EUR
20+0.18 EUR
100+0.1 EUR
500+0.075 EUR
1000+0.065 EUR
2500+0.058 EUR
5000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT3G ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3906LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 61139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT3G ONSM-S-A0013307755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3906LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 61139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH