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MMBT3906Q-7-F Diodes Zetex


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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details MMBT3906Q-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT3906Q-7-F MMBT3906Q-7-F Diodes Zetex mmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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MMBT3906Q-7-F MMBT3906Q-7-F Diodes Incorporated MMBT3906.pdf Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
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MMBT3906Q-7-F MMBT3906Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012992517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT3906Q-7-F MMBT3906Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0012992517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23-3
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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