MMBT3906TT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT3906TT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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Preis | ||||||||||||||||||
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 15300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 36456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP |
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MMBT3906TT1G Produktcode: 44932
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MMBT3906TT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 11435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906TT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 MMBT3906T-13-F MMBT3906T-7-F MMBT3906T-TP MMBT3906TT1G TMMBT3906tt1g Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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