MMBT3906TT1G


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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G onsemi mmbt3906tt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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3425+0.05 EUR
3534+0.048 EUR
6000+0.045 EUR
15000+0.043 EUR
30000+0.04 EUR
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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51000+0.026 EUR
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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3247+0.046 EUR
3334+0.043 EUR
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3534+0.038 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G onsemi mmbt3906tt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 96000 Stücke:
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127+0.17 EUR
208+0.1 EUR
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G ONSEMI ONSM-S-A0003065612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6400 Stücke:
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893+0.29 EUR
1530+0.15 EUR
2238+0.095 EUR
3145+0.068 EUR
3637+0.06 EUR
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G ONSEMI ONSM-S-A0003065612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.3 EUR
1500+0.15 EUR
2278+0.094 EUR
2907+0.074 EUR
3425+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G onsemi mmbt3906tt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
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14+0.25 EUR
24+0.14 EUR
100+0.092 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.063 EUR
3000+0.046 EUR
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MMBT3906TT1G ON-Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 MMBT3906T-13-F MMBT3906T-7-F MMBT3906T-TP MMBT3906TT1G TMMBT3906tt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4673+0.037 EUR
7813+0.021 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 96000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.05 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 31931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3334+0.052 EUR
3425+0.05 EUR
3534+0.048 EUR
6000+0.045 EUR
15000+0.043 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3334 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3175+0.055 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.029 EUR
27000+0.027 EUR
51000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3175 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 31931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1832+0.095 EUR
3040+0.055 EUR
3077+0.052 EUR
3155+0.049 EUR
3247+0.046 EUR
3334+0.043 EUR
3425+0.04 EUR
3534+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1832 Stücke
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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127+0.17 EUR
208+0.1 EUR
500+0.073 EUR
1000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906TT1G ONSM-S-A0003065612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
893+0.29 EUR
1530+0.15 EUR
2238+0.095 EUR
3145+0.068 EUR
3637+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 893 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
834+0.3 EUR
1500+0.15 EUR
2278+0.094 EUR
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3425+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
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14+0.25 EUR
24+0.14 EUR
100+0.092 EUR
500+0.071 EUR
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Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 MMBT3906T-13-F MMBT3906T-7-F MMBT3906T-TP MMBT3906TT1G TMMBT3906tt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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