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MMBT3906TT1G

MMBT3906TT1G ON Semiconductor


mmbt3906tt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details MMBT3906TT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Hersteller : onsemi mmbt3906tt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Hersteller : onsemi mmbt3906tt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Hersteller : onsemi mmbt3906tt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003065612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
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MMBT3906TT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt3906tt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 MMBT3906T-13-F MMBT3906T-7-F MMBT3906T-TP MMBT3906TT1G TMMBT3906tt1g
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MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G
Produktcode: 44932
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