MMBT3906TT1G
Produktcode: 44932
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 31931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 31931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906TT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 411000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP |
auf Bestellung 21053 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT3906TT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 415391 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT3906TT1G | Hersteller : ON-Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 MMBT3906T-13-F MMBT3906T-7-F MMBT3906T-TP MMBT3906TT1G TMMBT3906tt1g Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT3906TT1G | Hersteller : On Semiconductor |
SOT-416 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MMBT3906TT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |