MMBT4124LT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 378000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.078 EUR |
| 6000+ | 0.073 EUR |
| 9000+ | 0.06 EUR |
| 30000+ | 0.059 EUR |
| 75000+ | 0.053 EUR |
| 150000+ | 0.046 EUR |
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Technische Details MMBT4124LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT4124LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 60, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote MMBT4124LT1G nach Preis ab 0.083 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MMBT4124LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 385579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT4124LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 30V NPN |
auf Bestellung 30728 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MMBT4124LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4124LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT4124LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 60...360 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBT4124LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 60...360 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
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