MMBT4126LT1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details MMBT4126LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MMBT4126LT1G nach Preis ab 0.034 EUR bis 0.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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MMBT4126LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT4126LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
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MMBT4126LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT4126LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 11942 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT4126LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP |
auf Bestellung 42354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT4126LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 265093 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT4126LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 27254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT4126LT1G |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBT4126LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT4126LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBT4126LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |