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MMBT4126LT1G

MMBT4126LT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3175+0.056 EUR
6000+0.052 EUR
9000+0.048 EUR
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Technische Details MMBT4126LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G ON Semiconductor mmbt4126lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G onsemi mmbt4126lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 51000 Stücke:
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3000+0.095 EUR
6000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G ON Semiconductor mmbt4126lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1541+0.11 EUR
1558+0.11 EUR
1608+0.11 EUR
2115+0.079 EUR
3000+0.064 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1541 Stücke
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MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G onsemi mmbt4126lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP
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10+0.36 EUR
18+0.19 EUR
100+0.14 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G ON Semiconductor mmbt4126lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11942 Stücke:
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423+0.42 EUR
759+0.23 EUR
772+0.21 EUR
1541+0.1 EUR
1558+0.096 EUR
1608+0.09 EUR
2115+0.065 EUR
3000+0.054 EUR
6000+0.043 EUR
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MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G onsemi mmbt4126lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 53709 Stücke:
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70+0.3 EUR
113+0.19 EUR
500+0.14 EUR
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MMBT4126LT1G MMBT4126LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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1710+0.13 EUR
1938+0.11 EUR
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MMBT4126LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MMBT4126LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
1541+0.11 EUR
1558+0.11 EUR
1608+0.11 EUR
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Bipolar Transistors - BJT 200mA 25V PNP
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AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
18+0.19 EUR
100+0.14 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
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MMBT4126LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11942 Stücke:
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759+0.23 EUR
772+0.21 EUR
1541+0.1 EUR
1558+0.096 EUR
1608+0.09 EUR
2115+0.065 EUR
3000+0.054 EUR
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 423 Stücke
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 53709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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44+0.48 EUR
70+0.3 EUR
113+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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MMBT4126LT1G ONSM-S-A0013299331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT4126LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4126LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
466+0.54 EUR
878+0.26 EUR
1265+0.17 EUR
1710+0.13 EUR
1938+0.11 EUR
5000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
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