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MMBT4356
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Technische Details MMBT4356
Description: TRANS PNP 80V 0.8A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 350 mW.
Weitere Produktangebote MMBT4356
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MMBT4356 | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 350 mW |
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MMBT4356 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP/ 30V |
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| MMBT4356 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
Description: TRANS PNP 80V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
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| MMBT4356 |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP/ 30V
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