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MMBT4401M3T5G

MMBT4401M3T5G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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Technische Details MMBT4401M3T5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT4401M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT4401M3T5G MMBT4401M3T5G ON Semiconductor mmbt4401m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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MMBT4401M3T5G MMBT4401M3T5G ON Semiconductor mmbt4401m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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MMBT4401M3T5G MMBT4401M3T5G ON Semiconductor mmbt4401m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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MMBT4401M3T5G MMBT4401M3T5G ON Semiconductor mmbt4401m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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401+0.36 EUR
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MMBT4401M3T5G MMBT4401M3T5G onsemi MMBT4401M3-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
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2500+0.1 EUR
5000+0.095 EUR
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MMBT4401M3T5G MMBT4401M3T5G onsemi mmbt4401m3-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 15163 Stücke:
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56+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
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MMBT4401M3T5G MMBT4401M3T5G ONSEMI ONSM-S-A0013307769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7355 Stücke:
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MMBT4401M3T5G MMBT4401M3T5G ONSEMI ONSM-S-A0013307769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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10000+0.075 EUR
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Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 38000 Stücke:
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10000+0.075 EUR
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885+0.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 401
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
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500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
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MMBT4401M3T5G
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Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 265 mW
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2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4401M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT4401M3T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4401M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 6 Stücke:
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