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MMBT4401T-7-F

MMBT4401T-7-F Diodes Incorporated

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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 40V 150mW
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Technische Details MMBT4401T-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MMBT4401T-7-F MMBT4401T-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0005045570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBT4401T-7-F MMBT4401T-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0005045570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
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Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBT4401T-7-F
Hersteller: DIODES INC.
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MMBT4401T-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT4401T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
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