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MMBT4403M3T5G

MMBT4403M3T5G onsemi

mmbt4403m3-d.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP PNP TRANS
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Technische Details MMBT4403M3T5G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT4403M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 640mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT4403M3T5G MMBT4403M3T5G ONSEMI 673494.pdf Description: ONSEMI - MMBT4403M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 640mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: ONSEMI
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Description: ONSEMI - MMBT4403M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-723
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Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-723
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