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MMBT4403M3T5G

MMBT4403M3T5G ON Semiconductor

mmbt4403m3-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Technische Details MMBT4403M3T5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT4403M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT4403M3T5G MMBT4403M3T5G Hersteller : ON Semiconductor mmbt4403m3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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MMBT4403M3T5G MMBT4403M3T5G Hersteller : onsemi mmbt4403m3-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 265 mW
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69+0.26 EUR
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1000+0.1 EUR
2000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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MMBT4403M3T5G MMBT4403M3T5G Hersteller : onsemi MMBT4403M3_D-1811757.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP PNP TRANS
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7+0.43 EUR
11+0.27 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.097 EUR
2500+0.093 EUR
5000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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MMBT4403M3T5G MMBT4403M3T5G Hersteller : ONSEMI 673494.pdf Description: ONSEMI - MMBT4403M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1635 Stücke:
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MMBT4403M3T5G MMBT4403M3T5G Hersteller : ONSEMI 673494.pdf Description: ONSEMI - MMBT4403M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Packaging: Tape & Reel (TR)
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Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
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