Technische Details MMBT5087 SAMSANG
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3, Power - Max: 350 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-23-3, Frequency - Transition: 40MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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| MMBT5087 | ONS/FAI |
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| MMBT5087 | Shikues |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 50mA 40MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Транзистори |
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MMBT5087 | onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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MMBT5087 | onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
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MMBT5087 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GEN PUR |
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|
MMBT5087 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GEN PUR |
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| MMBT5087 |
|
Hersteller: ONS/FAI
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| MMBT5087 |
|
Hersteller: Shikues
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 50mA 40MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Транзистори
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| MMBT5087 |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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| MMBT5087 |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GEN PUR
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| MMBT5087 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GEN PUR
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