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MMBT5088LT1G

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2540 Stücke:
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2540 Stücke:
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1086+0.15 EUR
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G onsemi mmbt5088lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G onsemi mmbt5088lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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98+0.21 EUR
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G ONSEMI MMBT5088L_MMBT5089L.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G onsemi mmbt5088lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5088LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5088LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2540 Stücke:
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MMBT5088LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5088LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN
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MMBT5088LT1G mmbt5088lt1-d.pdf
MMBT5088LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
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Power - Max: 300 mW
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MMBT5088LT1G MMBT5088L_MMBT5089L.PDF
MMBT5088LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
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MMBT5088LT1G mmbt5088lt1-d.pdf
MMBT5088LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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2,2 uF ±10% 50V CL10A225KB8NNNC
Produktcode: 208299
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Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 2,2 мкФ
Nennspannung: 50 В
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