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MMBT5088LT1G

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : onsemi mmbt5088lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : onsemi MMBT5088LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : onsemi mmbt5088lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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MMBT5088LT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf BJT 50mA 35V NPN Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : Diodes Incorporated mmbt5088lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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49,9 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (0603WAF499JT5E-Royal Ohm)
Produktcode: 147447
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uniroyal-elec-0603waj0101t5e_c25201.pdf
49,9 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (0603WAF499JT5E-Royal Ohm)
Hersteller: Royal Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 49,9 Ohm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 50 V
U Betriebs.,V: 0603
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100uF 50V SMD (CK1H107M08010VR259, CK1H107M08010VR200)
Produktcode: 98901
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100uF 50V SMD (CK1H107M08010VR259, CK1H107M08010VR200)
Hersteller: Samwha
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 50V
Reihe: CK-SMD niedriger Impedanz
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: SMD
Макс.пульс.струм: 670mA
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10uF 25V +/-10% X7R 1206 (CL31B106KAHNNNE - Samsung)
Produktcode: 72199
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10uF 25V +/-10% X7R 1206 (CL31B106KAHNNNE - Samsung)
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 25V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
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MCL103С ( BAS385)
Produktcode: 50342
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mcl103c-datasheet.pdf
MCL103С ( BAS385)
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: MicroMELF
Vrrm(V): 20
If(A): 15
VF@IF: 0,37
Bemerkung: P=0.4W, T=-65 to +125C
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 15 A
auf Bestellung 169 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.12 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.08 EUR
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1.5KE400CA
Produktcode: 18274
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1.5KE_CA.pdf
1.5KE400CA
Hersteller: YJ/GS
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
P, Wt: 1500
U Durchbruch: 400
n: 342 V
n: 1 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: THT
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