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MMBT5088LT1G

MMBT5088LT1G ON Semiconductor

mmbt5088lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT5088LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 300 mW.

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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : onsemi mmbt5088lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C12D3F357DC0CE&compId=MMBT5088L_MMBT5089L.PDF?ci_sign=a6e8d97f788a8156f13573a4886db6c597d44311 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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834+0.09 EUR
1266+0.06 EUR
1507+0.05 EUR
2137+0.03 EUR
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C12D3F357DC0CE&compId=MMBT5088L_MMBT5089L.PDF?ci_sign=a6e8d97f788a8156f13573a4886db6c597d44311 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : onsemi mmbt5088lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5088LT1G MMBT5088LT1G Hersteller : onsemi MMBT5088LT1_D-1811628.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN
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