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Technische Details MMBT5179 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50mA, Übergangsfrequenz: 2GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMBT5179 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 23804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 40990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 23804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
auf Bestellung 36914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor |
auf Bestellung 16900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 17102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50mA Übergangsfrequenz: 2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 17102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5179 | Hersteller : NATIONAL |
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auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MMBT5179 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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