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MMBT5179

MMBT5179 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 279000 Stücke:
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Technische Details MMBT5179 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50mA, Übergangsfrequenz: 2GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5179 MMBT5179 ON Semiconductor mmbt5179-d.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5179 MMBT5179 onsemi MMBT5179-D.PDF Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
auf Bestellung 81000 Stücke:
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3000+0.061 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2899+0.06 EUR
2995+0.057 EUR
3096+0.054 EUR
3206+0.051 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 2866 Stücke
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MMBT5179 MMBT5179 ON Semiconductor mmbt5179-d.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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1254+0.14 EUR
2029+0.083 EUR
2050+0.08 EUR
2866+0.055 EUR
2899+0.052 EUR
2995+0.049 EUR
3096+0.045 EUR
3206+0.043 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 1254 Stücke
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MMBT5179 MMBT5179 onsemi MMBT5179-D.PDF RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
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35+0.099 EUR
100+0.075 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.067 EUR
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MMBT5179 MMBT5179 onsemi MMBT5179-D.PDF Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
auf Bestellung 81268 Stücke:
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112+0.19 EUR
186+0.11 EUR
212+0.099 EUR
252+0.083 EUR
278+0.075 EUR
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MMBT5179 MMBT5179 ONSEMI ONSM-S-A0003671098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11447 Stücke:
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MMBT5179 MMBT5179 ONSEMI ONSM-S-A0003671098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50mA
Übergangsfrequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBT5179 MMBT5179 ON Semiconductor mmbt5179-d.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5179 ONS/FAI MMBT5179-D.PDF NPN, SOT-23 Транзистори
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MMBT5179 NATIONAL MMBT5179-D.PDF
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5179
Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
auf Bestellung 81000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
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2899+0.06 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: onsemi
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor
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19+0.18 EUR
35+0.099 EUR
100+0.075 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.067 EUR
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MMBT5179
Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
auf Bestellung 81268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+0.19 EUR
186+0.11 EUR
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1000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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MMBT5179
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT5179
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50mA
Übergangsfrequenz: 2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5179 MMBT5179-D.PDF
Hersteller: ONS/FAI
NPN, SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5179 MMBT5179-D.PDF
Hersteller: NATIONAL
auf Bestellung 1650 Stücke:
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