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Technische Details MMBT5179 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50mA, Übergangsfrequenz: 2GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MMBT5179 nach Preis ab 0.034 EUR bis 0.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5179 | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 36390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 7622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
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MMBT5179 | Hersteller : onsemi |
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor |
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MMBT5179 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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MMBT5179 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5179 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50mA Übergangsfrequenz: 2GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 11447 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5179 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5179 | Hersteller : NATIONAL |
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auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MMBT5179 | Hersteller : On Semiconductor/Fairchild |
NPN, SOT-23 |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5179 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MMBT5179 | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.05A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 2GHz |
Produkt ist nicht verfügbar |