MMBT5401-7-F Diodes Zetex
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Technische Details MMBT5401-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMBT5401-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 310mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 600mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
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MMBT5401-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 600mA; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Case: SOT23 Current gain: 50...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 3000pcs. Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 600mA; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.6A Case: SOT23 Current gain: 50...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 3000pcs. |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS PNP 300mW |
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MMBT5401-7-F Produktcode: 202211
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MMBT5401-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT5401-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT5401-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 310mW euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 600mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5401-7-F | Hersteller : DIODES |
SOT23 |
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MMBT5401-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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