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MMBT5401LT1G

MMBT5401LT1G ON

MMBT5401.pdf
Produktcode: 34131
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 150
U, V: 160
I, А: 0.1
h21,max: 240
verfügbar 250 Stück:
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MMBT5401 MMBT5401
Produktcode: 160586 		Hersteller : Yangjie mmbt5401-sot23-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 160 V
U, V: 180 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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1400+0.051 EUR
1500+ 0.048 EUR
1950+ 0.037 EUR
2075+ 0.035 EUR
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Mindestbestellmenge: 1400
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2711+0.058 EUR
2740+ 0.056 EUR
2763+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 2711
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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3000+0.083 EUR
6000+ 0.079 EUR
9000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2681+ 0.053 EUR
2711+ 0.05 EUR
2740+ 0.047 EUR
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : onsemi MMBT5401LT1_D-2316019.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 150V
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173+ 0.3 EUR
274+ 0.19 EUR
1000+ 0.086 EUR
2500+ 0.073 EUR
10000+ 0.055 EUR
30000+ 0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 120
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20035 Stücke:
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
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Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5401LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt5401lt1-d.pdf PNP 500mA 150V 225mW 300MHz MMBT5401LT1G ONS TMMBT5401 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
400+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 400
MMBT5401LT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.35Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4153		 MMBT5551.pdf
MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar: 150 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.032 EUR
100+ 0.03 EUR
220nF 100V X7R 10% 0805 3k/reel(0805B224K101N3-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 11363		 X7R_X5R.pdf
220nF 100V X7R 10% 0805 3k/reel(0805B224K101N3-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 220nF
Nennspannung: 100V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
auf Bestellung 335 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 Stück:
3000 Stück - erwartet 08.06.2024
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.12 EUR
100+ 0.059 EUR
1000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BZX84-C16
Produktcode: 25370		 BZX84.pdf
BZX84-C16
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 16
Istab.direkt,A: 0,03
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 12.4mV/K
auf Bestellung 262 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.028 EUR
DRWW 14x15x5 DN65 Kern
Produktcode: 54769		 57769-datasheet.pdf
DRWW 14x15x5 DN65 Kern
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Hantel
Serie: DRWW
Typ: Hantel
Beschreibung: D14xL15, місце для намотки 10мм
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.29 EUR
ULN2003D (MC1413D, SO-16)(ULN2003D1013TR)
Produktcode: 2351		 ULN2001A-ULN2004A.pdf
ULN2003D (MC1413D, SO-16)(ULN2003D1013TR)
Hersteller: ST
IC > IC Transistoranordnungen
Gehäuse: SO-16
Beschreibung: Zusammenbau 7 Darlington, 30V, 500mA
Монтаж: SMD
№ 4: -20...85°C
Вихідний струм: 500 mA
Вихідна напруга: 50 V
К-сть каналів: 7
auf Bestellung 137 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.29 EUR
10+ 0.25 EUR