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MMBT5401LT1G

MMBT5401LT1G ON Semiconductor

mmbt5401lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT5401LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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3000+0.052 EUR
6000+0.047 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.038 EUR
30000+0.037 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1725+0.083 EUR
2416+0.057 EUR
2786+0.048 EUR
3832+0.033 EUR
6000+0.029 EUR
15000+0.024 EUR
30000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1725
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
455+0.16 EUR
562+0.13 EUR
823+0.087 EUR
993+0.072 EUR
1266+0.056 EUR
1511+0.047 EUR
1786+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 9914 Stücke:
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1266+0.056 EUR
1511+0.047 EUR
1786+0.04 EUR
3000+0.031 EUR
6000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G
Produktcode: 34131
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Hersteller : ON MMBT5401.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 150
U, V: 160
I, А: 0.1
h21,max: 240
Produkt ist nicht verfügbar
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10+0.036 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.027 EUR
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1719+0.074 EUR
1725+0.071 EUR
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6000+0.027 EUR
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : onsemi MMBT5401LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 150V
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18+0.16 EUR
100+0.099 EUR
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1000+0.062 EUR
3000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 113592 Stücke:
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67+0.26 EUR
109+0.16 EUR
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1000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 64187 Stücke:
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMBT5401LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt5401lt1-d.pdf PNP 500mA 150V 225mW 300MHz MMBT5401LT1G ONS TMMBT5401 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
400+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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MMBT5401LT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf PNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.35Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 3810 Stücke:
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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