MMBT5401LT1G ON


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Produktcode: 34131
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 300 MHz
Spannung Uce, V: 150 V
Spannung Ucb, V: 160 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 240
Produkt ist nicht verfügbar
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1+0.079 EUR
10+0.055 EUR
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1545000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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3907+0.044 EUR
9000+0.039 EUR
27000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3907 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
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3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2689+0.064 EUR
3664+0.046 EUR
4167+0.04 EUR
4425+0.037 EUR
6000+0.035 EUR
15000+0.031 EUR
30000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 2689 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45859 Stücke:
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1029+0.17 EUR
1640+0.1 EUR
1656+0.098 EUR
2667+0.058 EUR
2689+0.056 EUR
3664+0.039 EUR
4167+0.033 EUR
4425+0.031 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 60...240
auf Bestellung 7033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
582+0.14 EUR
842+0.1 EUR
989+0.086 EUR
1208+0.07 EUR
1397+0.061 EUR
1603+0.054 EUR
1725+0.049 EUR
3000+0.044 EUR
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 150V
auf Bestellung 45583 Stücke:
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11+0.32 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
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1000+0.082 EUR
3000+0.061 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
102+0.2 EUR
165+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.081 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 49680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
559+0.45 EUR
1237+0.19 EUR
1600+0.13 EUR
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 49680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
559+0.45 EUR
1237+0.19 EUR
1600+0.13 EUR
1961+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G ON-Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf PNP 500mA 150V 225mW 300MHz MMBT5401LT1G ONS TMMBT5401 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1545000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1545000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6994+0.025 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3907+0.044 EUR
9000+0.039 EUR
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Mindestbestellmenge: 3907 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2689+0.064 EUR
3664+0.046 EUR
4167+0.04 EUR
4425+0.037 EUR
6000+0.035 EUR
15000+0.031 EUR
30000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 2689 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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1640+0.1 EUR
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2667+0.058 EUR
2689+0.056 EUR
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4425+0.031 EUR
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Mindestbestellmenge: 1029 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 60...240
auf Bestellung 7033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
417+0.2 EUR
582+0.14 EUR
842+0.1 EUR
989+0.086 EUR
1208+0.07 EUR
1397+0.061 EUR
1603+0.054 EUR
1725+0.049 EUR
3000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
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MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 150V
auf Bestellung 45583 Stücke:
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11+0.32 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.082 EUR
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
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102+0.2 EUR
165+0.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 49680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
559+0.45 EUR
1237+0.19 EUR
1600+0.13 EUR
1961+0.11 EUR
2238+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 559 Stücke
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MMBT5401LT1G ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 49680 Stücke:
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559+0.45 EUR
1237+0.19 EUR
1600+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
PNP 500mA 150V 225mW 300MHz MMBT5401LT1G ONS TMMBT5401 ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2390 Stücke:
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MMBT5551
Produktcode: 200829
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Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
Hersteller: Jingdao
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
auf Bestellung: 1104 St.
  • 1104 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.055 EUR
10+0.031 EUR
100+0.025 EUR
1000+0.019 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
150pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N151J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1728
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NPO.pdf
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 150 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 2322 St.
  • 2322 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.036 EUR
100+0.019 EUR
1000+0.015 EUR
10000+0.0077 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2,2 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-2K2R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 2081
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RC_series.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 2,2 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
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100 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-100R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 27691
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RC_series.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 100 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
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Flussmittel-Paste UV50 [40 г] (Mechanic) Halogen-free
Produktcode: 150917
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Hersteller: Mechanic
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Kategorie: Flussmittel
Beschreibung: Das Flussmittel hat eine hohe Viskosität und enthält keine Halogene. Ideal zum Löten von SMD, BGA. No-Clean, oxidiert nicht, leitet keinen Strom
Gewicht/Volumen/Menge: 40 г
Konsistenz: Paste-Gel
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  • 200 St. - erwartet 24.12.2026
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