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MMBT5401LT1G

MMBT5401LT1G ON

MMBT5401.pdf
Produktcode: 34131
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 300 MHz
Spannung Uce, V: 150 V
Spannung Ucb, V: 160 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 240
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
16+0.079 EUR
22+0.055 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5401 MMBT5401
Produktcode: 160586
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mmbt5401-sot23-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 300 МГц
Spannung Uce, V: 160 В
Spannung Ucb, V: 180 В
Strom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21, max: 300
erwartet: 262 St.
  • 262 St. - erwartet 16.10.2026
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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26+0.046 EUR
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MMBT5401
Produktcode: 160586
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MMBT5401
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 300 МГц
Spannung Uce, V: 160 В
Spannung Ucb, V: 180 В
Strom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21, max: 300
erwartet: 262 St.
  • 262 St. - erwartet 16.10.2026
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3862+0.046 EUR
9000+0.043 EUR
27000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3862 Stücke
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 969000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3497+0.051 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3497 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 969000 Stücke:
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3497+0.051 EUR
6000+0.048 EUR
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.067 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1541+0.12 EUR
2119+0.083 EUR
2422+0.071 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.055 EUR
15000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1541 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
615+0.29 EUR
949+0.18 EUR
959+0.17 EUR
1527+0.1 EUR
1541+0.099 EUR
2119+0.069 EUR
2422+0.058 EUR
3000+0.052 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 615 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 150V
auf Bestellung 73897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.32 EUR
15+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.082 EUR
3000+0.061 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
102+0.2 EUR
164+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 46798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
610+0.4 EUR
1226+0.19 EUR
1588+0.13 EUR
2174+0.099 EUR
2476+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 610 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 46798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
610+0.4 EUR
1226+0.19 EUR
1588+0.13 EUR
2174+0.099 EUR
2476+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 610 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ONSEMI mmbt5401lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Collector current: 0.5A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 150V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 60...240
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 3457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3862+0.046 EUR
9000+0.043 EUR
27000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3862 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 969000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3497+0.051 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3497 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 969000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3497+0.051 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3497 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.067 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1541+0.12 EUR
2119+0.083 EUR
2422+0.071 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.055 EUR
15000+0.048 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
615+0.29 EUR
949+0.18 EUR
959+0.17 EUR
1527+0.1 EUR
1541+0.099 EUR
2119+0.069 EUR
2422+0.058 EUR
3000+0.052 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 615 Stücke
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MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR PNP 150V
auf Bestellung 73897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.32 EUR
15+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.082 EUR
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
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63+0.33 EUR
102+0.2 EUR
164+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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MMBT5401LT1G ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5401LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 46798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
610+0.4 EUR
1226+0.19 EUR
1588+0.13 EUR
2174+0.099 EUR
2476+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 610 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G ONSM-S-A0013299276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5401LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 46798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
610+0.4 EUR
1226+0.19 EUR
1588+0.13 EUR
2174+0.099 EUR
2476+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 610 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G mmbt5401lt1-d.pdf
MMBT5401LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Collector current: 0.5A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 150V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 60...240
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 3457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT5401LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT5551
Produktcode: 200829
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Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
MMBT5551
Hersteller: Jingdao
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
auf Bestellung: 6000 St.
  • 6000 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+0.055 EUR
39+0.031 EUR
100+0.025 EUR
1000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 22 St.
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150pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N151J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1728
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NPO.pdf
150pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N151J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 150 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2,2 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-2K2R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 2081
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2,2 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-2K2R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 2,2 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-100R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 27691
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100 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-100R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 100 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
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110+0.012 EUR
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Mindestbestellmenge: 110 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Stromzange RM97B
Produktcode: 203969
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Stromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97B
Stromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97BStromzange RM97B
Hersteller: Richmeters
Werkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Stromzangen
Beschreibung: Digitale Stromzange. Messungen: Gleichspannung: 6V/60V/600V/1000V, Wechselspannung: 6V/60V/600V/750V, Gleichstrom: 6A/60A, Wechselstrom: 600mA/6A/60A(50-60Hz), Widerstand: 600Ohm/6kOhm/60kOhm/600kOhm/6MOhm/60MOhm. Kapazität: 6nF/60nF/600nF/6uF/60uF/600uF/6mF/60mF. Frequenzmessung: 6Hz-10MHz. Erkennung des Phasenleiters, Leckstromerkennung. Temperaturmessung: -20...+1000°C. Display 5999 Counts. Batterie-Niedriganzeige, automatische Abschaltung, Diodentest, akustischer Durchgangsprüfer, Data Hold, Beleuchtung. Stromversorgung: 3,7 Li-Akku. Abmessungen: 165x68x26 mm.
Frequenzmessung: 6 Гц...10 МГц
Spannungs- und Strommessung: 6 V...1000 V/ 6 A...60 A
Widerstandsmessung: 600 Ом...60 МОм
Induktivitätsmessung: keine
Kapazitätsmessung: 6 нФ...60мФ
Temperaturmessung: -20...+1000°С
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1+62.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH