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MMBT5551

MMBT5551 Jingdao

Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
Produktcode: 200829
Hersteller: Jingdao
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 5050 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 160587
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Hersteller : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 24 Stück:
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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4153
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Hersteller : Fairchild MMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar: 150 Stück
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.03 EUR
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MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 160587
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Hersteller : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 24 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3732+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3732
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3732+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3732
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 139061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4185+0.04 EUR
5129+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
33000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4185
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 398408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6935+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6935
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 2N5551%2CMMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 100...300
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
897+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 897
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 2N5551%2CMMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Current gain: 100...300
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 897 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
897+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
1150+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 897
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 395408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7212+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7212
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
auf Bestellung 139011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
554+0.13 EUR
1471+0.05 EUR
1725+0.04 EUR
3087+0.02 EUR
4274+0.02 EUR
4546+0.02 EUR
33000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 554
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 139011 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
554+0.13 EUR
1471+0.05 EUR
1725+0.04 EUR
3087+0.02 EUR
4274+0.02 EUR
4546+0.02 EUR
33000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 554
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 9404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+0.17 EUR
29+0.10 EUR
100+0.07 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC 4421943.pdf Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC 4421943.pdf Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : MDD(Microdiode Electronics) 2N5551%2CMMBT5551.pdf Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf NPN Transistor
auf Bestellung 166665000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7519+0.02 EUR
60000+0.02 EUR
300000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7519
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : Microdiode Electronics 2N5551%2CMMBT5551.pdf Transistor Diode
auf Bestellung 16797000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9434+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9434
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : HOTTECH 2N5551%2CMMBT5551.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 G1 Hersteller : WEJ Transistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : AnBon 2N5551%2CMMBT5551.pdf Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : FAIRCHILD 2N5551%2CMMBT5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 206639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7212+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 7212
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : ONS 2N5551%2CMMBT5551.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfe=80/250
auf Bestellung 4225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.14 EUR
100+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 G1 Hersteller : N/A SOT-23 05+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 2N5551%2CMMBT5551.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT5551/G1 Hersteller : MOTO
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551G1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551-G1
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : DIOTEC 2N5551%2CMMBT5551.pdf NPN 600mA 160V 350mW 100MHz MMBT5551 smd TMMBT5551
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551(G1)
auf Bestellung 7429 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diodes Incorporated ds30061-3214431.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi / Fairchild MMBT5551_D-3006661.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Rectron SOT_23_Power_Transistors-765531.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
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MMBT5401
Produktcode: 160586
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mmbt5401-sot23-datasheet.pdf
MMBT5401
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 160 V
U, V: 180 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
auf Bestellung 1442 Stück:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LL4148
Produktcode: 2413
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LL4148-D.PDF ll4148.pdf LL4148.pdf 5399_LL4148%20LL-34.PDF LL4148.pdf %5BLumimax%5DLL4148.pdf
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 48576 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BZV55-C5V1
Produktcode: 4297
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BZV55.pdf
BZV55-C5V1
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 5,1
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
№ 6: 8541100090
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240 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4400
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240 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 240 kOhm
Resistenz: ±5% J
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
verfügbar: 7020 Stück
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33 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4662
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33 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 33 kOhm
Resistenz: ±5% J
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
verfügbar: 21890 Stück
3370 Stück - stock Köln
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