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MMBT5551

MMBT5551 Jingdao

Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
Produktcode: 200829
Hersteller: Jingdao
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1836 Stück:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4153 		Hersteller : Fairchild MMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar: 150 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.032 EUR
100+ 0.03 EUR
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4673+0.033 EUR
9000+ 0.027 EUR
24000+ 0.024 EUR
45000+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 4673
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Electronics mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4717+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4717
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 66450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1625+0.044 EUR
2725+ 0.026 EUR
3050+ 0.024 EUR
3975+ 0.018 EUR
4200+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1625
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 66450 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1625+0.044 EUR
2725+ 0.026 EUR
3050+ 0.024 EUR
3975+ 0.018 EUR
4200+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1625
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.048 EUR
6000+ 0.046 EUR
9000+ 0.039 EUR
30000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Electronics mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3475+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3475
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 414108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8435+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 8435
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 215211 Stücke:
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8435+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 8435
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : MDD MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 504000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
12000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 338 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
197+0.27 EUR
260+ 0.2 EUR
308+ 0.17 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.088 EUR
9000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 197
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 4128 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
91+0.29 EUR
132+ 0.2 EUR
244+ 0.11 EUR
500+ 0.084 EUR
1000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 91
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 5480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
91+0.29 EUR
132+ 0.2 EUR
244+ 0.11 EUR
500+ 0.084 EUR
1000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 91
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: BJT SOT-23 160V 600MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
77+0.34 EUR
108+ 0.24 EUR
200+ 0.13 EUR
500+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 77
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: Small Signal Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+135.41 EUR
100+ 112.84 EUR
1000+ 90.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5551 Hersteller : Microdiode Electronics mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor Diode
auf Bestellung 840000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9434+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 9434
MMBT5551 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN Transistor
auf Bestellung 166665000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6536+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 6536
MMBT5551 Hersteller : HOTTECH mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : HOTTECH mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : AnBon mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : ONS mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfe=80/250
auf Bestellung 4253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.17 EUR
10+ 0.15 EUR
MMBT5551 Hersteller : NTE Electronics, Inc. mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf MMBT5551
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
314+0.5 EUR
1000+ 0.39 EUR
2500+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 314
MMBT5551-G1
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBT5551/G1 Hersteller : MOTO
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBT5551G1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBT5551(G1)
auf Bestellung 7429 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBT5551 G1 Hersteller : N/A SOT-23 05+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBT5551 Hersteller : DIOTEC mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN 600mA 160V 350mW 100MHz MMBT5551 smd TMMBT5551
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
MMBT5551 Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 4952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5551 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551 - TRANSISTORS (BJT) - SINGLE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 160587 		Hersteller : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 100...300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi / Fairchild MMBT5551_D-2316093.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diodes Incorporated ds30061-3214431.pdf Bipolar Transistors - BJT
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: BJT SOT-23 160V 600MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Rectron SOT_23_Power_Transistors-765531.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
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