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MMBT5551

MMBT5551 Jingdao

Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
Produktcode: 200829
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Hersteller: Jingdao
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
auf Bestellung 2019 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5551 (NPN-Bipolartransistor) MMBT5551 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 4153
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Fairchild MMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
verfügbar: 150 St.
    1+0.048 EUR
    10+0.038 EUR
    100+0.036 EUR
    1000+0.033 EUR
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    MMBT5551 MMBT5551 GOODWORK GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Supplier Device Package: SOT-23
    auf Bestellung 10000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3000+0.011 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 FUXINSEMI 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
    Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
    auf Bestellung 14995 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    3000+0.024 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 80MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 250 mW
    auf Bestellung 6000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3000+0.026 EUR
    6000+0.023 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH TMMBT5551_CJ_CJ.pdf 160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
    Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    3000+0.03 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3L
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 24000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3000+0.035 EUR
    6000+0.031 EUR
    9000+0.029 EUR
    15000+0.026 EUR
    21000+0.025 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 Good-Ark Semiconductor GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 6000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3000+0.042 EUR
    6000+0.037 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 HOTTECH 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
    Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
    auf Bestellung 1950 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    1000+0.043 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 AnBon 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
    Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    1000+0.044 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 21000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    3907+0.045 EUR
    6000+0.043 EUR
    9000+0.031 EUR
    15000+0.03 EUR
    21000+0.029 EUR
    Mindestbestellmenge: 3907 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 21000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    3938+0.045 EUR
    6000+0.044 EUR
    9000+0.032 EUR
    21000+0.031 EUR
    Mindestbestellmenge: 3938 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 MDD(Microdiode Electronics) TMMBT5551_MDD_MDD_0001.pdf Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
    Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
    auf Bestellung 9000 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    1000+0.048 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 250 mW
    auf Bestellung 21000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3000+0.055 EUR
    6000+0.049 EUR
    9000+0.045 EUR
    15000+0.043 EUR
    21000+0.04 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 10983 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2703+0.065 EUR
    3323+0.052 EUR
    6000+0.045 EUR
    9000+0.042 EUR
    Mindestbestellmenge: 2703 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 205639 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    8696+0.076 EUR
    10000+0.067 EUR
    100000+0.055 EUR
    Mindestbestellmenge: 8696 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 374408 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    8696+0.076 EUR
    10000+0.067 EUR
    100000+0.055 EUR
    Mindestbestellmenge: 8696 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 205639 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5769+0.092 EUR
    Mindestbestellmenge: 5769 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 350 mW
    auf Bestellung 377408 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5769+0.092 EUR
    Mindestbestellmenge: 5769 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 MDD MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 504000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    12000+0.1 EUR
    Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_3.html Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 350 mW
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    200+0.1 EUR
    323+0.065 EUR
    544+0.038 EUR
    777+0.027 EUR
    1000+0.023 EUR
    3000+0.019 EUR
    Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
    Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
    Type of transistor: NPN
    Polarisation: bipolar
    Collector-emitter voltage: 160V
    Collector current: 0.6A
    Power dissipation: 0.25W
    Case: SOT23
    Current gain: 30...250
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel; tape
    Frequency: 100...300MHz
    auf Bestellung 10963 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    625+0.13 EUR
    770+0.11 EUR
    1276+0.067 EUR
    1954+0.044 EUR
    2203+0.038 EUR
    3000+0.032 EUR
    6000+0.03 EUR
    9000+0.027 EUR
    Mindestbestellmenge: 625 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 80MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 250 mW
    auf Bestellung 2439 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    112+0.19 EUR
    250+0.083 EUR
    409+0.051 EUR
    573+0.037 EUR
    1000+0.032 EUR
    Mindestbestellmenge: 112 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3L
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 3608 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    112+0.19 EUR
    186+0.11 EUR
    304+0.069 EUR
    500+0.05 EUR
    1000+0.043 EUR
    Mindestbestellmenge: 112 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
    auf Bestellung 1270 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    16+0.21 EUR
    22+0.15 EUR
    100+0.13 EUR
    500+0.1 EUR
    1000+0.09 EUR
    3000+0.069 EUR
    9000+0.046 EUR
    Mindestbestellmenge: 16 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 EVVO 5272_MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 2646 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    91+0.23 EUR
    148+0.14 EUR
    237+0.088 EUR
    500+0.064 EUR
    1000+0.056 EUR
    Mindestbestellmenge: 91 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Good-Ark Semiconductor GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 3462 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    91+0.23 EUR
    159+0.13 EUR
    259+0.081 EUR
    500+0.058 EUR
    1000+0.051 EUR
    Mindestbestellmenge: 91 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 250 mW
    auf Bestellung 23668 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    77+0.27 EUR
    122+0.17 EUR
    198+0.11 EUR
    500+0.077 EUR
    1000+0.068 EUR
    Mindestbestellmenge: 77 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+103.53 EUR
    100+86.28 EUR
    1000+69.02 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4421943.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Verlustleistung: 350mW
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-23
    Dauerkollektorstrom: 600mA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Wandlerpolarität: NPN
    usEccn: EAR99
    Übergangsfrequenz: 100MHz
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    auf Bestellung 4395 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4421943.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    isCanonical: N
    Verlustleistung: 350mW
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Dauerkollektorstrom: 600mA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Übergangsfrequenz: 100MHz
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    auf Bestellung 4395 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 G1 WEJ Transistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ
    Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
    auf Bestellung 14995 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    1500+0.024 EUR
    Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 HT Jinyu Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html NPN Transistor
    auf Bestellung 166665000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    7093+0.025 EUR
    60000+0.021 EUR
    300000+0.018 EUR
    Mindestbestellmenge: 7093 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 Microdiode Electronics (MDD) 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor Diode
    auf Bestellung 4611000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    9000+0.025 EUR
    2304000+0.023 EUR
    3456000+0.021 EUR
    4608000+0.019 EUR
    Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 G1 N/A SOT-23 05+
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551/G1 MOTO
    auf Bestellung 2945 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551G1
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551-G1
    auf Bestellung 60000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551(G1)
    auf Bestellung 7429 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 (NPN-Bipolartransistor)
    Produktcode: 4153
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    		MMBT5551.pdf
    MMBT5551 (NPN-Bipolartransistor)
    Hersteller: Fairchild
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    Transitfrequenz fT: 300 MHz
    Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
    Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
    Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
    Stromverstärkung h21: 250
    Montage: SMD
    verfügbar: 150 St.
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.048 EUR
      10+0.038 EUR
      100+0.036 EUR
      1000+0.033 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: GOODWORK
      Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
      Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
      Frequency - Transition: 100MHz
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 300 mW
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Supplier Device Package: SOT-23
      auf Bestellung 10000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      3000+0.011 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
      MMBT5551
      Hersteller: FUXINSEMI
      Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
      Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
      auf Bestellung 14995 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      3000+0.024 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 MMBT5551%20SOT-23.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
      Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 80MHz
      Supplier Device Package: SOT-23
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 250 mW
      auf Bestellung 6000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      3000+0.026 EUR
      6000+0.023 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 TMMBT5551_CJ_CJ.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
      160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
      Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
      auf Bestellung 3000 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      3000+0.03 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 MMBT555x.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
      Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 100MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3L
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 300 mW
      auf Bestellung 24000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      3000+0.035 EUR
      6000+0.031 EUR
      9000+0.029 EUR
      15000+0.026 EUR
      21000+0.025 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: Good-Ark Semiconductor
      Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 300 mW
      auf Bestellung 6000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      3000+0.042 EUR
      6000+0.037 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
      MMBT5551
      Hersteller: HOTTECH
      Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
      Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
      auf Bestellung 1950 Stücke:
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      MMBT5551
      Hersteller: AnBon
      Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
      Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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      MMBT5551 mmbt5551.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: Diotec Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 21000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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      3907+0.045 EUR
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      MMBT5551 mmbt5551.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: Diotec Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 21000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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      3938+0.045 EUR
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      MMBT5551 TMMBT5551_MDD_MDD_0001.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: MDD(Microdiode Electronics)
      Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
      Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
      auf Bestellung 9000 Stücke:
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      Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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      MMBT5551 mmbt5551.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: Diotec Semiconductor
      Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 250 mW
      auf Bestellung 21000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      3000+0.055 EUR
      6000+0.049 EUR
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      21000+0.04 EUR
      Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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      MMBT5551 mmbt5551.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: Diotec Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 10983 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2703+0.065 EUR
      3323+0.052 EUR
      6000+0.045 EUR
      9000+0.042 EUR
      Mindestbestellmenge: 2703 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 mmbt5551-d.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 205639 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      8696+0.076 EUR
      10000+0.067 EUR
      100000+0.055 EUR
      Mindestbestellmenge: 8696 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 mmbt5551-d.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: ON Semiconductor
      Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
      auf Bestellung 374408 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      8696+0.076 EUR
      10000+0.067 EUR
      100000+0.055 EUR
      Mindestbestellmenge: 8696 Stücke
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      MMBT5551 ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
      MMBT5551
      Hersteller: Fairchild Semiconductor
      Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
      Packaging: Bulk
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 100MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 300 mW
      auf Bestellung 205639 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      5769+0.092 EUR
      Mindestbestellmenge: 5769 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: onsemi
      Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
      Packaging: Bulk
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 100MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 350 mW
      auf Bestellung 377408 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      5769+0.092 EUR
      Mindestbestellmenge: 5769 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1
      MMBT5551
      Hersteller: MDD
      Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 300 mW
      auf Bestellung 504000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      12000+0.1 EUR
      Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 smallsignaltransistor_3.html
      MMBT5551
      Hersteller: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
      Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 350 mW
      auf Bestellung 3000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      200+0.1 EUR
      323+0.065 EUR
      544+0.038 EUR
      777+0.027 EUR
      1000+0.023 EUR
      3000+0.019 EUR
      Mindestbestellmenge: 200 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 mmbt5551.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
      Category: NPN SMD transistors
      Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
      Type of transistor: NPN
      Polarisation: bipolar
      Collector-emitter voltage: 160V
      Collector current: 0.6A
      Power dissipation: 0.25W
      Case: SOT23
      Current gain: 30...250
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel; tape
      Frequency: 100...300MHz
      auf Bestellung 10963 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      625+0.13 EUR
      770+0.11 EUR
      1276+0.067 EUR
      1954+0.044 EUR
      2203+0.038 EUR
      3000+0.032 EUR
      6000+0.03 EUR
      9000+0.027 EUR
      Mindestbestellmenge: 625 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 MMBT5551%20SOT-23.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
      Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 80MHz
      Supplier Device Package: SOT-23
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 250 mW
      auf Bestellung 2439 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      112+0.19 EUR
      250+0.083 EUR
      409+0.051 EUR
      573+0.037 EUR
      1000+0.032 EUR
      Mindestbestellmenge: 112 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 MMBT555x.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
      Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 100MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3L
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 300 mW
      auf Bestellung 3608 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      112+0.19 EUR
      186+0.11 EUR
      304+0.069 EUR
      500+0.05 EUR
      1000+0.043 EUR
      Mindestbestellmenge: 112 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
      MMBT5551
      Hersteller: Diotec Semiconductor
      Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
      auf Bestellung 1270 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      16+0.21 EUR
      22+0.15 EUR
      100+0.13 EUR
      500+0.1 EUR
      1000+0.09 EUR
      3000+0.069 EUR
      9000+0.046 EUR
      Mindestbestellmenge: 16 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 5272_MMBT5551.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: EVVO
      Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 300 mW
      auf Bestellung 2646 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      91+0.23 EUR
      148+0.14 EUR
      237+0.088 EUR
      500+0.064 EUR
      1000+0.056 EUR
      Mindestbestellmenge: 91 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: Good-Ark Semiconductor
      Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 300 mW
      auf Bestellung 3462 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      91+0.23 EUR
      159+0.13 EUR
      259+0.081 EUR
      500+0.058 EUR
      1000+0.051 EUR
      Mindestbestellmenge: 91 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      MMBT5551 mmbt5551.pdf
      MMBT5551
      Hersteller: Diotec Semiconductor
      Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 250 mW
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      MMBT5551
      Hersteller: HY Electronic (Cayman) Limited
      Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Mounting Type: Surface Mount
      Transistor Type: NPN
      Operating Temperature: 150°C (TJ)
      Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
      Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
      DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
      Frequency - Transition: 300MHz
      Supplier Device Package: SOT-23
      Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
      Power - Max: 300 mW
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      MMBT5551
      Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
      Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      Verlustleistung: 350mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: SOT-23
      Dauerkollektorstrom: 600mA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      Wandlerpolarität: NPN
      usEccn: EAR99
      Übergangsfrequenz: 100MHz
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
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      MMBT5551
      Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
      Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      euEccn: NLR
      rohsCompliant: YES
      DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      isCanonical: N
      Verlustleistung: 350mW
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Dauerkollektorstrom: 600mA
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Übergangsfrequenz: 100MHz
      Betriebstemperatur, max.: 150°C
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      MMBT5551 G1
      Hersteller: WEJ
      Transistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ
      Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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      Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
      NPN Transistor
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      Hersteller: Microdiode Electronics (MDD)
      Transistor Diode
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      MMBT5551 G1
      Hersteller: N/A
      SOT-23 05+
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      MMBT5551/G1
      Hersteller: MOTO
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      MMBT5551(G1)
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      MMBT5401
      Produktcode: 160586
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      		mmbt5401-sot23-datasheet.pdf
      MMBT5401
      Hersteller: Yangjie
      Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
      Gehäuse: SOT-23
      Grenzfrequenz fT, MHz: 300 МГц
      Spannung Uce, V: 160 В
      Spannung Ucb, V: 180 В
      Strom Ic, A: 0,6 А
      Stromverstärkung h21, max: 300
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      LL4148
      Produktcode: 2413
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      		LL4148-D.PDF ll4148.pdf %5BLumimax%5DLL4148.pdf 5399_LL4148%20LL-34.PDF LL4148.pdf LL4148.pdf 1801_LL4148_20SERIES_J15.pdf
      LL4148
      Hersteller: SEMTECH
      Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
      Gehäuse: SOD-80
      Urev., V: 100 V
      Iausr., A: 0,2 A
      Beschreibung: 4 ns
      Montage: SMD
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      1N4148W
      Produktcode: 176823
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      		datasheet-1n4148w.pdf
      1N4148W
      Hersteller: JINGDAO
      Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
      Gehäuse: SOD-123
      Urev., V: 75 В
      Iausr., A: 0,15 А
      Beschreibung: Impuls
      Montage: SMD
      Spannungsabfall Vf: 1 В
      auf Bestellung 20 St.:
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      erwartet 150 St.:
      150 St. - erwartet 15.07.2026
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
      Produktcode: 82544
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      		RC_series.pdf
      10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
      Hersteller: Yageo
      Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
      Nennwert: 10 kOhm
      Toleranz: ±1% F
      P Nenn., W: 0,125 Вт
      U Betrieb, V: 150 В
      Bauform: 0805
      auf Bestellung 258991 St.:
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      PMBT5401
      Produktcode: 1399
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      PMBT5401
      Hersteller: NXP
      Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
      Gehäuse: SOT-23
      Grenzfrequenz fT, MHz: 300 MHz
      Spannung Uce, V: 150 V
      Spannung Ucb, V: 160 V
      Strom Ic, A: 0,3 A
      Stromverstärkung h21, max: 240
      auf Bestellung 115 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.081 EUR
      10+0.057 EUR
      100+0.043 EUR
      1000+0.038 EUR
      10000+0.037 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH