Produkte > Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN > MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild
MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)

MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

MMBT5551.pdf
Produktcode: 4153
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar 150 Stück:
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.032 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.028 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Möglichen Substitutionen MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2589 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Weitere Produktangebote MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) nach Preis ab 0.014 EUR bis 83.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2589 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.027 EUR
6000+0.024 EUR
9000+0.022 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.019 EUR
30000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.034 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3969+0.036 EUR
6000+0.034 EUR
9000+0.026 EUR
15000+0.024 EUR
21000+0.023 EUR
30000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3969
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3922+0.037 EUR
6000+0.034 EUR
9000+0.026 EUR
15000+0.025 EUR
21000+0.023 EUR
30000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3922
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 140337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3096+0.047 EUR
3677+0.038 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.03 EUR
21000+0.026 EUR
30000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3096
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1250+0.057 EUR
2084+0.034 EUR
2368+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1250+0.057 EUR
2084+0.034 EUR
2368+0.03 EUR
3000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 205639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8696+0.062 EUR
10000+0.054 EUR
100000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 8696
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 395408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8696+0.062 EUR
10000+0.054 EUR
100000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 8696
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 205639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5769+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 5769
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 398408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5769+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 5769
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : MDD MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 504000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
878+0.082 EUR
1525+0.047 EUR
2213+0.032 EUR
2552+0.028 EUR
3031+0.024 EUR
6000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 140332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
878+0.082 EUR
1525+0.047 EUR
2213+0.032 EUR
2552+0.028 EUR
3031+0.024 EUR
6000+0.021 EUR
9000+0.02 EUR
21000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.14 EUR
257+0.069 EUR
424+0.042 EUR
595+0.03 EUR
1000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 5408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.14 EUR
205+0.086 EUR
334+0.053 EUR
500+0.038 EUR
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : EVVO 5272_MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
173+0.1 EUR
281+0.063 EUR
500+0.045 EUR
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 4632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.18 EUR
164+0.11 EUR
269+0.066 EUR
500+0.047 EUR
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 5191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+0.21 EUR
21+0.14 EUR
100+0.083 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.053 EUR
3000+0.039 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.23 EUR
134+0.13 EUR
217+0.081 EUR
500+0.059 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+83.79 EUR
100+69.82 EUR
1000+55.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 4421943.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 4421943.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : FUXINSEMI 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html NPN Transistor
auf Bestellung 166665000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7093+0.02 EUR
60000+0.017 EUR
300000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 7093
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 160587
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : Microdiode Electronics 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor Diode
auf Bestellung 3780000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9000+0.021 EUR
1890000+0.019 EUR
2835000+0.017 EUR
3780000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : MDD(Microdiode Electronics) 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html 160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : HOTTECH 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : AnBon 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : DIOTEC 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html NPN 600mA 160V 350mW 100MHz MMBT5551 smd TMMBT5551
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : LITEON 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Rectron SOT-23_Power_Transistors.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_3.html Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : EVVO 5272_MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH