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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)

MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

MMBT5551.pdf
Produktcode: 4153
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar 150 Stück:
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.032 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.028 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829
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Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 3140 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829
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Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 3140 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.034 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.034 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 241952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3650+0.04 EUR
4202+0.033 EUR
6000+0.028 EUR
9000+0.026 EUR
45000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 3650
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3413+0.042 EUR
9000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3413
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.043 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 395408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8696+0.062 EUR
10000+0.054 EUR
100000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 8696
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 206639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8696+0.062 EUR
10000+0.054 EUR
100000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 8696
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 206639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5769+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 5769
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 398408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5769+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 5769
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MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 160587
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Hersteller : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : MDD MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 504000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA5B5560E4BBD00D3&compId=mmbt5551.pdf?ci_sign=c2e7615175ee7e7c5268569fb306ff51f04062f6 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222601 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
834+0.086 EUR
893+0.08 EUR
981+0.073 EUR
1656+0.043 EUR
2451+0.029 EUR
2809+0.025 EUR
3379+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 834
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA5B5560E4BBD00D3&compId=mmbt5551.pdf?ci_sign=c2e7615175ee7e7c5268569fb306ff51f04062f6 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 222601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
834+0.086 EUR
893+0.08 EUR
981+0.073 EUR
1656+0.043 EUR
2451+0.029 EUR
2809+0.025 EUR
3379+0.021 EUR
6000+0.019 EUR
9000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 834
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : EVVO 5272_MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 2717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
170+0.1 EUR
277+0.064 EUR
500+0.046 EUR
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
257+0.069 EUR
419+0.042 EUR
586+0.03 EUR
1000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 4667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.18 EUR
162+0.11 EUR
264+0.067 EUR
500+0.048 EUR
1000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 5561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.18 EUR
162+0.11 EUR
264+0.067 EUR
500+0.048 EUR
1000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 3111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+0.21 EUR
21+0.14 EUR
100+0.083 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.053 EUR
3000+0.039 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 8628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.23 EUR
132+0.13 EUR
214+0.082 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
100+0.72 EUR
250+0.29 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
3000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+85.15 EUR
100+70.96 EUR
1000+56.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC 4421943.pdf Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC 4421943.pdf Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 Hersteller : Microdiode Electronics 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor Diode
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MMBT5551 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN Transistor
auf Bestellung 166665000 Stücke:
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60000+0.017 EUR
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MMBT5551 Hersteller : MDD(Microdiode Electronics) 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
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3000+0.022 EUR
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MMBT5551 Hersteller : HOTTECH 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Anzahl Preis
1000+0.034 EUR
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MMBT5551 Hersteller : AnBon 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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1000+0.037 EUR
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MMBT5551 Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
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MMBT5551 Hersteller : JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf 160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
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MMBT5551 Hersteller : FUXINSEMI 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
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MMBT5551 Hersteller : DIOTEC 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN 600mA 160V 350mW 100MHz MMBT5551 smd TMMBT5551
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA59D78BEC9FA60D6&compId=MMBT5551.pdf?ci_sign=50a0d98f423a691dc8ca6c9891779d7376e34e13 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT
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MMBT5551 Hersteller : LITEON 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT5551.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi / Fairchild MMBT5551-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : EVVO 5272_MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Rectron SOT-23_Power_Transistors.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
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MMBT5401
Produktcode: 160586
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mmbt5401-sot23-datasheet.pdf
MMBT5401
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 160 V
U, V: 180 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
auf Bestellung 129 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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220uF 250V ECR 22x30mm (ECR221M2EB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 15969
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ECR_081225.pdf
220uF 250V ECR 22x30mm (ECR221M2EB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 250V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x30mm
Lebensdauer: 22х30mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 150 Stück
5 Stück - stock Köln
145 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.13 EUR
10+0.84 EUR
100+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 4828 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 97 Stück
15 Stück - stock Köln
82 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 Stück
300 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.38 EUR
10+0.36 EUR
100+0.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LEG-12
Produktcode: 62137
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relayLEG-5_datasheet.pdf?PHPSESSID=b74e7ea0c06bd20c0a795c669e2ca461
LEG-12
Hersteller: Rayex
Relais
Relaistyp: Relais
Beschreibung: Kontaktart: SPDT; U-Spule: 12V; I-komm: 10А; -25...+60°C
Abmessungen: 19.5x15.8x15mm
Spulenspannung: 12 VDC
Strom max: 10 A
Kontaktkonfiguration: SPDT(1C)
Schaltspannung: 240 VAC; 24 VDC
auf Bestellung 895 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.43 EUR
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