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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)

MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild


MMBT5551.pdf
Produktcode: 4153
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar 150 Stück:

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMBT5551 (Bipolartransistor NPN) PMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 20409
Hersteller : NXP/Philips PMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,3
ZCODE: SMD
verfügbar: 2224 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.048 EUR
100+ 0.03 EUR
MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829
Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 3000 Stück:
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MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829
Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 3000 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Electronics mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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4695+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4695
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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3000+0.048 EUR
6000+ 0.046 EUR
9000+ 0.039 EUR
30000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Electronics mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
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3195+0.048 EUR
9000+ 0.03 EUR
24000+ 0.027 EUR
45000+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 3195
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
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3000+0.052 EUR
9000+ 0.032 EUR
24000+ 0.03 EUR
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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8435+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 8435
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
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8435+0.096 EUR
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : MDD MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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6000+0.2 EUR
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 2185 Stücke:
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197+0.27 EUR
260+ 0.2 EUR
308+ 0.17 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.088 EUR
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Mindestbestellmenge: 197
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 4661 Stücke:
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91+0.29 EUR
132+ 0.2 EUR
244+ 0.11 EUR
500+ 0.084 EUR
1000+ 0.058 EUR
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 5490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
91+0.29 EUR
132+ 0.2 EUR
244+ 0.11 EUR
500+ 0.084 EUR
1000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 91
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: BJT SOT-23 160V 600MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
77+0.34 EUR
108+ 0.24 EUR
200+ 0.13 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 77
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: Small Signal Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+135.41 EUR
100+ 112.84 EUR
1000+ 90.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5551 Hersteller : Microdiode Electronics mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor Diode
auf Bestellung 1404000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9434+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 9434
MMBT5551 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN Transistor
auf Bestellung 166665000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6536+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 6536
MMBT5551 Hersteller : HOTTECH mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : HOTTECH mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : AnBon mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 116525 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1575+0.046 EUR
2600+ 0.028 EUR
2875+ 0.025 EUR
3975+ 0.018 EUR
4200+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1575
MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 116525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1575+0.046 EUR
2600+ 0.028 EUR
2875+ 0.025 EUR
3975+ 0.018 EUR
4200+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1575
MMBT5551 Hersteller : ONS mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfe=80/250
auf Bestellung 4298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.15 EUR
10+ 0.14 EUR
MMBT5551 Hersteller : NTE Electronics, Inc. mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf MMBT5551
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
335+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 335
MMBT5551 Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 4952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5551 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551 - TRANSISTORS (BJT) - SINGLE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 417108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi / Fairchild MMBT5551_D-2316093.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Rectron SOT_23_Power_Transistors-765531.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diodes Incorporated ds30061-3214431.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: BJT SOT-23 160V 600MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 160587
Hersteller : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
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MMBT5401
Produktcode: 160586
mmbt5401-sot23-datasheet.pdf
MMBT5401
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 160 V
U, V: 180 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
auf Bestellung 780 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024
2N5551.pdf
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 36 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.06 EUR
10+ 0.045 EUR
1N4007-SMD M7 DO214AC
Produktcode: 73458
K5019012205.pdf
1N4007-SMD M7 DO214AC
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
verfügbar: 1980 Stück
erwartet: 15000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.017 EUR
1000+ 0.011 EUR
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX)
Produktcode: 17877
taj-776811-datasheet.pdf
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX)
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 10V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-B
№ 6: 8532210000
verfügbar: 1420 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.16 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BC856B
Produktcode: 2029
BC856,857.pdf
BC856B
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 65
U, V: 80
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 3369 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.034 EUR
100+ 0.022 EUR
1000+ 0.018 EUR