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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)

MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

MMBT5551.pdf
Produktcode: 4153
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Montage: SMD
verfügbar: 150 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.048 EUR
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    100+0.036 EUR
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    MMBT5551 MMBT5551
    Produktcode: 200829
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    		Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    fT: 300 MHz
    Uceo,V: 160 V
    Ucbo,V: 180 V
    Ic,A: 0,6 A
    h21: 250
    Montage: SMD
    auf Bestellung 2219 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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    MMBT5551
    Produktcode: 200829
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    		Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: Jingdao
    Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
    Gehäuse: SOT-23
    fT: 300 MHz
    Uceo,V: 160 V
    Ucbo,V: 180 V
    Ic,A: 0,6 A
    h21: 250
    Montage: SMD
    auf Bestellung 2219 St.:
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    MMBT5551 MMBT5551 GOODWORK GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Supplier Device Package: SOT-23
    auf Bestellung 10000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3000+0.011 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 80MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 250 mW
    auf Bestellung 6000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3000+0.025 EUR
    6000+0.023 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 FUXINSEMI 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
    Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
    auf Bestellung 15000 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    3000+0.025 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH TMMBT5551_CJ_CJ.pdf 160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
    Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    3000+0.03 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3L
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 24000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3000+0.035 EUR
    6000+0.03 EUR
    9000+0.029 EUR
    15000+0.026 EUR
    21000+0.025 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 Good-Ark Semiconductor GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 6000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3000+0.04 EUR
    6000+0.036 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 HOTTECH 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
    Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
    auf Bestellung 1950 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    1000+0.043 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 39000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    3953+0.044 EUR
    9000+0.032 EUR
    15000+0.031 EUR
    30000+0.027 EUR
    Mindestbestellmenge: 3953 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 39000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    3985+0.044 EUR
    6000+0.042 EUR
    9000+0.031 EUR
    15000+0.03 EUR
    21000+0.029 EUR
    30000+0.025 EUR
    Mindestbestellmenge: 3985 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 AnBon 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
    Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    1000+0.045 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 MDD(Microdiode Electronics) TMMBT5551_MDD_MDD_0001.pdf Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
    Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
    auf Bestellung 9000 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    1000+0.049 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 250 mW
    auf Bestellung 23480 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3000+0.054 EUR
    6000+0.048 EUR
    9000+0.045 EUR
    15000+0.042 EUR
    21000+0.039 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 11223 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2703+0.065 EUR
    3323+0.052 EUR
    6000+0.045 EUR
    9000+0.042 EUR
    Mindestbestellmenge: 2703 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 374408 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    8696+0.076 EUR
    10000+0.067 EUR
    100000+0.055 EUR
    Mindestbestellmenge: 8696 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 205639 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    8696+0.076 EUR
    10000+0.067 EUR
    100000+0.055 EUR
    Mindestbestellmenge: 8696 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 350 mW
    auf Bestellung 380908 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5769+0.089 EUR
    Mindestbestellmenge: 5769 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 205639 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5769+0.089 EUR
    Mindestbestellmenge: 5769 Stücke
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    MMBT5551 MMBT5551 MDD MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 504000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    12000+0.1 EUR
    Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_3.html Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 350 mW
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    200+0.1 EUR
    334+0.063 EUR
    556+0.038 EUR
    794+0.026 EUR
    1000+0.023 EUR
    3000+0.019 EUR
    Mindestbestellmenge: 200 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
    Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
    Type of transistor: NPN
    Polarisation: bipolar
    Collector-emitter voltage: 160V
    Collector current: 0.6A
    Power dissipation: 0.25W
    Case: SOT23
    Current gain: 30...250
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel; tape
    Frequency: 100...300MHz
    auf Bestellung 11223 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    625+0.13 EUR
    770+0.11 EUR
    1276+0.067 EUR
    1954+0.044 EUR
    2203+0.038 EUR
    3000+0.032 EUR
    6000+0.03 EUR
    9000+0.027 EUR
    Mindestbestellmenge: 625 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MMBT5551%20SOT-23.pdf Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 80MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 250 mW
    auf Bestellung 2439 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    112+0.19 EUR
    257+0.082 EUR
    419+0.05 EUR
    587+0.036 EUR
    1000+0.031 EUR
    Mindestbestellmenge: 112 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3L
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 4108 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    112+0.19 EUR
    189+0.11 EUR
    310+0.068 EUR
    500+0.049 EUR
    1000+0.043 EUR
    Mindestbestellmenge: 112 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
    auf Bestellung 1381 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    16+0.21 EUR
    22+0.15 EUR
    100+0.13 EUR
    500+0.1 EUR
    1000+0.09 EUR
    3000+0.069 EUR
    9000+0.046 EUR
    Mindestbestellmenge: 16 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Good-Ark Semiconductor GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 3462 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    100+0.21 EUR
    162+0.13 EUR
    264+0.08 EUR
    500+0.057 EUR
    1000+0.05 EUR
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 EVVO 5272_MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 2646 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    91+0.23 EUR
    150+0.14 EUR
    243+0.087 EUR
    500+0.062 EUR
    1000+0.055 EUR
    Mindestbestellmenge: 91 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 250 mW
    auf Bestellung 23926 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    77+0.27 EUR
    124+0.17 EUR
    203+0.1 EUR
    500+0.075 EUR
    1000+0.065 EUR
    Mindestbestellmenge: 77 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+101.2 EUR
    100+84.34 EUR
    1000+67.46 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4421943.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Verlustleistung: 350mW
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-23
    Dauerkollektorstrom: 600mA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Wandlerpolarität: NPN
    usEccn: EAR99
    Übergangsfrequenz: 100MHz
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    auf Bestellung 9740 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4421943.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    isCanonical: N
    Verlustleistung: 350mW
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Dauerkollektorstrom: 600mA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Übergangsfrequenz: 100MHz
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    auf Bestellung 9740 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 HT Jinyu Semiconductor 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html NPN Transistor
    auf Bestellung 166665000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    7093+0.025 EUR
    60000+0.021 EUR
    300000+0.018 EUR
    Mindestbestellmenge: 7093 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 Microdiode Electronics (MDD) 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html Transistor Diode
    auf Bestellung 4611000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    9000+0.025 EUR
    2304000+0.023 EUR
    3456000+0.021 EUR
    4608000+0.019 EUR
    Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: GOODWORK
    Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Supplier Device Package: SOT-23
    auf Bestellung 10000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    3000+0.011 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551%20SOT-23.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
    Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 80MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 250 mW
    auf Bestellung 6000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    3000+0.025 EUR
    6000+0.023 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
    MMBT5551
    Hersteller: FUXINSEMI
    Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
    Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
    auf Bestellung 15000 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    3000+0.025 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 TMMBT5551_CJ_CJ.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
    160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
    Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    3000+0.03 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT555x.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
    Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3L
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 24000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    3000+0.035 EUR
    6000+0.03 EUR
    9000+0.029 EUR
    15000+0.026 EUR
    21000+0.025 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: Good-Ark Semiconductor
    Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 6000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    3000+0.04 EUR
    6000+0.036 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
    MMBT5551
    Hersteller: HOTTECH
    Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
    Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
    auf Bestellung 1950 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1000+0.043 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 mmbt5551.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: Diotec Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 39000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    3953+0.044 EUR
    9000+0.032 EUR
    15000+0.031 EUR
    30000+0.027 EUR
    Mindestbestellmenge: 3953 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 mmbt5551.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: Diotec Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 39000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    3985+0.044 EUR
    6000+0.042 EUR
    9000+0.031 EUR
    15000+0.03 EUR
    21000+0.029 EUR
    30000+0.025 EUR
    Mindestbestellmenge: 3985 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
    MMBT5551
    Hersteller: AnBon
    Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
    Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1000+0.045 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 TMMBT5551_MDD_MDD_0001.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: MDD(Microdiode Electronics)
    Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
    Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
    auf Bestellung 9000 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1000+0.049 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 mmbt5551.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: Diotec Semiconductor
    Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 250 mW
    auf Bestellung 23480 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    3000+0.054 EUR
    6000+0.048 EUR
    9000+0.045 EUR
    15000+0.042 EUR
    21000+0.039 EUR
    Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 mmbt5551.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: Diotec Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 11223 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    2703+0.065 EUR
    3323+0.052 EUR
    6000+0.045 EUR
    9000+0.042 EUR
    Mindestbestellmenge: 2703 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 mmbt5551-d.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 374408 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    8696+0.076 EUR
    10000+0.067 EUR
    100000+0.055 EUR
    Mindestbestellmenge: 8696 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 mmbt5551-d.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 205639 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    8696+0.076 EUR
    10000+0.067 EUR
    100000+0.055 EUR
    Mindestbestellmenge: 8696 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: onsemi
    Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 350 mW
    auf Bestellung 380908 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    5769+0.089 EUR
    Mindestbestellmenge: 5769 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
    MMBT5551
    Hersteller: Fairchild Semiconductor
    Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 205639 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    5769+0.089 EUR
    Mindestbestellmenge: 5769 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1
    MMBT5551
    Hersteller: MDD
    Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 504000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    12000+0.1 EUR
    Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 smallsignaltransistor_3.html
    MMBT5551
    Hersteller: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
    Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 350 mW
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    200+0.1 EUR
    334+0.063 EUR
    556+0.038 EUR
    794+0.026 EUR
    1000+0.023 EUR
    3000+0.019 EUR
    Mindestbestellmenge: 200 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 mmbt5551.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
    Category: NPN SMD transistors
    Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
    Type of transistor: NPN
    Polarisation: bipolar
    Collector-emitter voltage: 160V
    Collector current: 0.6A
    Power dissipation: 0.25W
    Case: SOT23
    Current gain: 30...250
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel; tape
    Frequency: 100...300MHz
    auf Bestellung 11223 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    625+0.13 EUR
    770+0.11 EUR
    1276+0.067 EUR
    1954+0.044 EUR
    2203+0.038 EUR
    3000+0.032 EUR
    6000+0.03 EUR
    9000+0.027 EUR
    Mindestbestellmenge: 625 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551%20SOT-23.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
    Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 80MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 250 mW
    auf Bestellung 2439 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    112+0.19 EUR
    257+0.082 EUR
    419+0.05 EUR
    587+0.036 EUR
    1000+0.031 EUR
    Mindestbestellmenge: 112 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT555x.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
    Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 100MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3L
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 4108 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    112+0.19 EUR
    189+0.11 EUR
    310+0.068 EUR
    500+0.049 EUR
    1000+0.043 EUR
    Mindestbestellmenge: 112 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 2N5551%2CMMBT5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf 5272_MMBT5551.pdf MMBT555x.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=0cnydei2&dl=1 mmbt5551.pdf MMBT5551%20SOT-23.pdf MMBT5551%20Rev-0.pdf smallsignaltransistor_3.html
    MMBT5551
    Hersteller: Diotec Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
    auf Bestellung 1381 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    16+0.21 EUR
    22+0.15 EUR
    100+0.13 EUR
    500+0.1 EUR
    1000+0.09 EUR
    3000+0.069 EUR
    9000+0.046 EUR
    Mindestbestellmenge: 16 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 GK-SOT-23_MMBT5551-202604.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: Good-Ark Semiconductor
    Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 3462 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    100+0.21 EUR
    162+0.13 EUR
    264+0.08 EUR
    500+0.057 EUR
    1000+0.05 EUR
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 5272_MMBT5551.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: EVVO
    Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 2646 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    91+0.23 EUR
    150+0.14 EUR
    243+0.087 EUR
    500+0.062 EUR
    1000+0.055 EUR
    Mindestbestellmenge: 91 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 mmbt5551.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: Diotec Semiconductor
    Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 250 mW
    auf Bestellung 23926 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    77+0.27 EUR
    124+0.17 EUR
    203+0.1 EUR
    500+0.075 EUR
    1000+0.065 EUR
    Mindestbestellmenge: 77 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 MMBT5551%20Rev-0.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: HY Electronic (Cayman) Limited
    Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN
    Operating Temperature: 150°C (TJ)
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
    Frequency - Transition: 300MHz
    Supplier Device Package: SOT-23
    Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
    Power - Max: 300 mW
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    5+101.2 EUR
    100+84.34 EUR
    1000+67.46 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 4421943.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
    Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Verlustleistung: 350mW
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-23
    Dauerkollektorstrom: 600mA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Wandlerpolarität: NPN
    usEccn: EAR99
    Übergangsfrequenz: 100MHz
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    auf Bestellung 9740 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMBT5551 4421943.pdf
    MMBT5551
    Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
    Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    isCanonical: N
    Verlustleistung: 350mW
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Dauerkollektorstrom: 600mA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Übergangsfrequenz: 100MHz
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
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    Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
    NPN Transistor
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    Hersteller: Microdiode Electronics (MDD)
    Transistor Diode
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    2304000+0.023 EUR
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