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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)

MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

MMBT5551.pdf
Produktcode: 4153
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar 150 Stück:
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.03 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829
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Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 5305 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829
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Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 5305 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 148178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3390+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3390
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor mmbt5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 395408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10310+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10310
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
969+0.07 EUR
2000+0.04 EUR
2858+0.03 EUR
3402+0.02 EUR
3788+0.02 EUR
4066+0.02 EUR
4417+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 969
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 4417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
969+0.07 EUR
2000+0.04 EUR
2858+0.03 EUR
3402+0.02 EUR
3788+0.02 EUR
4066+0.02 EUR
4417+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 969
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 148178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
584+0.12 EUR
1021+0.07 EUR
1619+0.04 EUR
2381+0.03 EUR
4274+0.02 EUR
4546+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 584
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
584+0.12 EUR
1021+0.07 EUR
1619+0.04 EUR
2381+0.03 EUR
4274+0.02 EUR
4546+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 584
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 9404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+0.17 EUR
29+0.10 EUR
100+0.07 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 5688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.23 EUR
127+0.14 EUR
205+0.09 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC 4421943.pdf Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : DIOTEC 4421943.pdf Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 14595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor mmbt5551.pdf NPN Transistor
auf Bestellung 166665000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7519+0.02 EUR
60000+0.02 EUR
300000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7519
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : Microdiode Electronics mmbt5551.pdf Transistor Diode
auf Bestellung 18087000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9434+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9434
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : HOTTECH mmbt5551.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : AnBon mmbt5551.pdf Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : FAIRCHILD mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 206639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10310+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10310
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : ONS mmbt5551.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfe=80/250
auf Bestellung 4225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.17 EUR
10+0.15 EUR
100+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. mmbt5551.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 3992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 160587
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Hersteller : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Rectron SOT_23_Power_Transistors-765531.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : onsemi / Fairchild MMBT5551_D-3006661.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diodes Incorporated ds30061-3214431.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551 Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

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MMBT5401
Produktcode: 160586
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mmbt5401-sot23-datasheet.pdf
MMBT5401
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
U, V: 160 V
U, V: 180 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
auf Bestellung 2000 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220uF 250V ECR 22x30mm (ECR221M2EB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 15969
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ECR_081225.pdf
220uF 250V ECR 22x30mm (ECR221M2EB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 250V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x30mm
Lebensdauer: 22х30mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 188 Stück
5 Stück - stock Köln
183 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.13 EUR
10+0.84 EUR
100+0.77 EUR
1000+0.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 6224 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.50 EUR
10+1.45 EUR
100+1.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 52 Stück
15 Stück - stock Köln
37 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 Stück
300 Stück - erwartet 21.03.2025
Anzahl Preis
1+0.38 EUR
10+0.36 EUR
100+0.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LEG-12
Produktcode: 62137
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relayLEG-5_datasheet.pdf?PHPSESSID=b74e7ea0c06bd20c0a795c669e2ca461
LEG-12
Hersteller: Rayex
Relais
Relaistyp: Relais
Beschreibung: Kontaktart: SPDT; U-Spule: 12V; I-komm: 10А; -25...+60°C
Abmessungen: 19.5x15.8x15mm
Spulenspannung: 12 VDC
Strom max: 10 A
Kontaktkonfiguration: SPDT(1C)
Schaltspannung: 240 VAC; 24 VDC
auf Bestellung 3021 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3 Stück:
Anzahl Preis
1+0.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH