MMBT5551 Yangjie
Produktcode: 160587
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Yangjie
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
Produktrezensionen
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Möglichen Substitutionen MMBT5551 Yangjie
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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MMBT5551 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 4153
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Lieblingsprodukt
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Fairchild |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: SOT-23 Transitfrequenz fT: 300 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A Stromverstärkung h21: 250 Montage: SMD |
verfügbar: 150 St.
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| MMBT5551 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 4153
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
verfügbar: 150 St.
- 150 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.051 EUR |
| 100+ | 0.036 EUR |
| 1000+ | 0.033 EUR |
Weitere Produktangebote MMBT5551 nach Preis ab 0.018 EUR bis 0.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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MMBT5551 | FUXINSEMI |
Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUXAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 14995 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT5551 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551 | HOTTECH |
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 cAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT5551 | AnBon |
Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANBAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT5551 | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551 | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 205639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 374408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5551 | Microdiode Electronics (MDD) |
Transistor Diode |
auf Bestellung 4611000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551 | JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH |
160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT5551 | MDD(Microdiode Electronics) |
Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDDAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT5551 | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT5551 | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 10983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz Current gain: 30...250 |
auf Bestellung 221935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551 | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN |
auf Bestellung 1270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT5551 | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 22588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT5551 | HT Jinyu Semiconductor |
NPN Transistor |
auf Bestellung 166665000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5551 |
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Hersteller: FUXINSEMI
Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 14995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.024 EUR |
| MMBT5551 |
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Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 820+ | 0.31 EUR |
| 1296+ | 0.18 EUR |
| 2075+ | 0.1 EUR |
| 2850+ | 0.075 EUR |
| MMBT5551 |
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Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 820+ | 0.31 EUR |
| 1296+ | 0.18 EUR |
| 2075+ | 0.1 EUR |
| 2850+ | 0.075 EUR |
| MMBT5551 |
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Hersteller: HOTTECH
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.042 EUR |
| MMBT5551 |
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Hersteller: AnBon
Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.044 EUR |
| MMBT5551 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3907+ | 0.044 EUR |
| 6000+ | 0.043 EUR |
| 9000+ | 0.031 EUR |
| 15000+ | 0.03 EUR |
| 21000+ | 0.029 EUR |
| MMBT5551 |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3938+ | 0.044 EUR |
| 6000+ | 0.043 EUR |
| 9000+ | 0.032 EUR |
| 15000+ | 0.031 EUR |
| MMBT5551 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 205639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8696+ | 0.075 EUR |
| 10000+ | 0.065 EUR |
| 100000+ | 0.055 EUR |
| MMBT5551 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 374408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8696+ | 0.075 EUR |
| 10000+ | 0.065 EUR |
| 100000+ | 0.055 EUR |
| MMBT5551 |
![]() |
Hersteller: Microdiode Electronics (MDD)
Transistor Diode
Transistor Diode
auf Bestellung 4611000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9000+ | 0.025 EUR |
| 2304000+ | 0.023 EUR |
| 3456000+ | 0.02 EUR |
| 4608000+ | 0.019 EUR |
| MMBT5551 |
![]() |
Hersteller: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.029 EUR |
| MMBT5551 |
![]() |
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.048 EUR |
| MMBT5551 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.055 EUR |
| 6000+ | 0.049 EUR |
| 9000+ | 0.045 EUR |
| 15000+ | 0.043 EUR |
| 21000+ | 0.04 EUR |
| MMBT5551 |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2703+ | 0.064 EUR |
| 3323+ | 0.051 EUR |
| 6000+ | 0.044 EUR |
| 9000+ | 0.042 EUR |
| MMBT5551 |
![]() |
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
auf Bestellung 221935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 625+ | 0.13 EUR |
| 770+ | 0.11 EUR |
| 1276+ | 0.067 EUR |
| 1954+ | 0.044 EUR |
| 2203+ | 0.038 EUR |
| 3000+ | 0.032 EUR |
| 6000+ | 0.03 EUR |
| 9000+ | 0.027 EUR |
| 21000+ | 0.025 EUR |
| MMBT5551 |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 0.21 EUR |
| 22+ | 0.15 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.09 EUR |
| 3000+ | 0.069 EUR |
| 9000+ | 0.046 EUR |
| MMBT5551 |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 22588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 0.27 EUR |
| 122+ | 0.17 EUR |
| 198+ | 0.11 EUR |
| 500+ | 0.077 EUR |
| 1000+ | 0.068 EUR |
| MMBT5551 |
![]() |
Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
NPN Transistor
NPN Transistor
auf Bestellung 166665000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7093+ | 0.025 EUR |
| 60000+ | 0.021 EUR |
| 300000+ | 0.018 EUR |
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| MMBT5401 Produktcode: 160586
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 300 МГц
Spannung Uce, V: 160 В
Spannung Ucb, V: 180 В
Strom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21, max: 300
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 300 МГц
Spannung Uce, V: 160 В
Spannung Ucb, V: 180 В
Strom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21, max: 300
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.058 EUR |
| 10+ | 0.046 EUR |
| 100+ | 0.036 EUR |
| 4,7 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-4R7-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 15381
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 4,7 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 4,7 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
- 1200 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
- 10000 St. - erwartet 29.08.2026
auf Bestellung: 4645 St.
- 4645 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.006 EUR |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (Widerstand SMD) Produktcode: 3689
4
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 185 St.
- 185 St. - stock Köln
auf Bestellung: 47080 St.
- 47080 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.006 EUR |
| ES1J Produktcode: 3349
3
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: YJ/TSC/HOTTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 20 ns
Montage: SMD
Warennummer: 8541 10 00 90
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 20 ns
Montage: SMD
Warennummer: 8541 10 00 90
auf Bestellung: 1101 St.
- 1101 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.15 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.064 EUR |
| 100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100R-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 1722
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 100 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 100 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 5000 St.
- 5000 St. - stock Köln
auf Bestellung: 52 St.
- 52 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.0045 EUR |
| 1000+ | 0.0036 EUR |
| 10000+ | 0.0027 EUR |








