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MMBT5551_R1_00001

MMBT5551_R1_00001 Panjit International Inc.

MMBT5551.pdf
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
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Technische Details MMBT5551_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 250 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MMBT5551_R1_00001 MMBT5551_R1_00001 Panjit B4968A900FDEB814EC0961B7BBCA1374DCA551E3A64A1F914BF97056FCE04672.pdf Bipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE160V IC600mA SOT-23
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MMBT5551_R1_00001 MMBT5551_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
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MMBT5551_R1_00001 MMBT5551_R1_00001 PanJit mmbt5551180604rev.01.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Bipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE160V IC600mA SOT-23
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
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Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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