
MMBT6427LT1G ON Semiconductor
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6452+ | 0.022 EUR |
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Technische Details MMBT6427LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT6427LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MMBT6427LT1G nach Preis ab 0.018 EUR bis 0.26 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 188931 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 29527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 43276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 43276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 0.225W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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MMBT6427LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 0.225W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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