MMBT6428LT1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details MMBT6428LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 700MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote MMBT6428LT1G nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.35 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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MMBT6428LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT6428LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT6428LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT6428LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT6428LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT6428LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 700MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT6428LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 700MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 21769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT6428LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN |
auf Bestellung 57335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT6428LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 700MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT6428LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT6428LT1G | Hersteller : ONSEMI |
MMBT6428LT1G NPN SMD transistors |
auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT6428LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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