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MMBT6428LT1G

MMBT6428LT1G ON Semiconductor

mmbt6428lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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Technische Details MMBT6428LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 700MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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6000+0.049 EUR
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30000+0.027 EUR
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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3226+0.055 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.043 EUR
21000+0.038 EUR
30000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3226 Stücke
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.054 EUR
9000+0.049 EUR
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21000+0.042 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3155 Stücke
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.054 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.048 EUR
21000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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3000+0.062 EUR
9000+0.051 EUR
27000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 21000 Stücke:
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3000+0.074 EUR
6000+0.065 EUR
9000+0.062 EUR
15000+0.057 EUR
21000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 250...650
Mounting: SMD
Frequency: 700MHz
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1041 Stücke:
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313+0.27 EUR
404+0.21 EUR
472+0.18 EUR
689+0.12 EUR
815+0.1 EUR
1041+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G onsemi MMBT6428LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
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10+0.35 EUR
19+0.18 EUR
100+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
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56+0.38 EUR
94+0.23 EUR
151+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ONSEMI 2578348.pdf Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 295 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT6428LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
MMBT6428LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.049 EUR
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15000+0.04 EUR
21000+0.035 EUR
30000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3226 Stücke
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MMBT6428LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3226+0.055 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.043 EUR
21000+0.038 EUR
30000+0.031 EUR
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MMBT6428LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3155+0.056 EUR
6000+0.054 EUR
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15000+0.046 EUR
21000+0.042 EUR
30000+0.04 EUR
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MMBT6428LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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6000+0.054 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.062 EUR
9000+0.051 EUR
27000+0.049 EUR
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MMBT6428LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.074 EUR
6000+0.065 EUR
9000+0.062 EUR
15000+0.057 EUR
21000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT6428LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 250...650
Mounting: SMD
Frequency: 700MHz
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
313+0.27 EUR
404+0.21 EUR
472+0.18 EUR
689+0.12 EUR
815+0.1 EUR
1041+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
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MMBT6428LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
auf Bestellung 65887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.35 EUR
19+0.18 EUR
100+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT6428LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 22743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+0.38 EUR
94+0.23 EUR
151+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MMBT6428LT1G 2578348.pdf
MMBT6428LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT6428LT1G mmbt6428lt1-d.pdf
MMBT6428LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH