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MMBTA05-7-F

MMBTA05-7-F Diodes Zetex

mmbta05mmbta06.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA05-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBTA05-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Diodes Incorporated MMBTA05_MMBTA06.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 5421000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.072 EUR
6000+0.065 EUR
9000+0.061 EUR
15000+0.057 EUR
21000+0.054 EUR
30000+0.052 EUR
75000+0.046 EUR
150000+0.043 EUR
300000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Diodes Incorporated MMBTA05_MMBTA06.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Diodes Incorporated MMBTA05_MMBTA06.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V 300mW
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8+0.38 EUR
13+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F DIODES INC. DIODS20593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTA05-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 105 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F DIODES INC. DIODS20593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTA05-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Diodes Zetex mmbta05mmbta06.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA05-7-F MMBTA05-7-F Diodes Zetex mmbta05mmbta06.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA05-7-F DIODES MMBTA05_MMBTA06.pdf SOT23
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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MMBTA05-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTA05-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTA05-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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