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MMBTA05LT3G

MMBTA05LT3G onsemi

mmbta05lt1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details MMBTA05LT3G onsemi

Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 225 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTA05LT3G MMBTA05LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA05LT3G MMBTA05LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA05LT3G MMBTA05LT3G Hersteller : onsemi MMBTA05LT1_D-2316070.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN
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MMBTA05LT3G MMBTA05LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA05LT3G MMBTA05LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA05LT3G MMBTA05LT3G Hersteller : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
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102+0.17 EUR
163+0.11 EUR
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