MMBTA05LT3G ON Semiconductor
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Technische Details MMBTA05LT3G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 225 mW.
Weitere Produktangebote MMBTA05LT3G nach Preis ab 0.022 EUR bis 0.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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MMBTA05LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA05LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA05LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
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MMBTA05LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA05LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA05LT3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN |
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MMBTA05LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 52400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA05LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA05LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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