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MMBTA05Q-13-F

MMBTA05Q-13-F Diodes Incorporated

MMBTA05_MMBTA06.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
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44+0.48 EUR
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113+0.19 EUR
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Technische Details MMBTA05Q-13-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMBTA05Q-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBTA05Q-13-F MMBTA05Q-13-F Diodes Incorporated MMBTA05_MMBTA06.pdf Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 10K
auf Bestellung 24683 Stücke:
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13+0.26 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
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MMBTA05Q-13-F MMBTA05Q-13-F DIODES INC. DIODS20593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTA05Q-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7075 Stücke:
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432+0.58 EUR
695+0.33 EUR
1118+0.19 EUR
1511+0.14 EUR
1938+0.11 EUR
5000+0.095 EUR
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MMBTA05Q-13-F MMBTA05Q-13-F DIODES INC. DIODS20593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTA05Q-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: DIODES INC. - MMBTA05Q-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Hersteller: DIODES INC.
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