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MMBTA06-7-F

MMBTA06-7-F Diodes Zetex

mmbta05_mmbta06.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA06-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBTA06-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbta05_mmbta06.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbta05_mmbta06.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F Hersteller : Diodes Incorporated MMBTA05_MMBTA06.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 mW
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MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBTA05_06.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 350mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
582+0.12 EUR
837+0.09 EUR
987+0.07 EUR
2591+0.03 EUR
2748+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBTA05_06.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 350mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
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MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIODS20593_1-2512538.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 300mW
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MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F Hersteller : Diodes Incorporated MMBTA05_MMBTA06.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 mW
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MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS20593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTA06-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS20593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTA06-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Dauer-Kollektorstrom: 500mA
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usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
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MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F Hersteller : Diodes Inc 1398ds30037.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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