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MMBTA06-7-F

MMBTA06-7-F DIODES INCORPORATED

MMBTA05_06.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 350mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
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Technische Details MMBTA06-7-F DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - MMBTA06-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MMBTA06-7-F nach Preis ab 0.082 EUR bis 0.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F Diodes Incorporated MMBTA05_MMBTA06.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 300mW
auf Bestellung 46267 Stücke:
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8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
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MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F DIODES INC. DIODS20593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTA06-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6180 Stücke:
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493+0.51 EUR
834+0.27 EUR
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1793+0.12 EUR
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MMBTA06-7-F MMBTA06-7-F DIODES INC. DIODS20593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTA06-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 80V 300mW
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MMBTA06-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTA06-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTA06-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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