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MMBTA13LT1G

MMBTA13LT1G ON Semiconductor

mmbta13lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA13LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 300mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3704+0.039 EUR
3732+0.037 EUR
3760+0.036 EUR
3774+0.034 EUR
3803+0.033 EUR
3832+0.031 EUR
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Mindestbestellmenge: 3704
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MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G onsemi mmbta13lt1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
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3000+0.049 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.053 EUR
9000+0.043 EUR
27000+0.04 EUR
51000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ONSEMI MMBTA13LT1G.PDF Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
auf Bestellung 3959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.16 EUR
596+0.12 EUR
881+0.081 EUR
1051+0.068 EUR
1534+0.047 EUR
1767+0.04 EUR
1909+0.037 EUR
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G onsemi mmbta13lt1-d.pdf Darlington Transistors 300mA 30V NPN
auf Bestellung 37827 Stücke:
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11+0.26 EUR
18+0.16 EUR
100+0.1 EUR
500+0.072 EUR
1000+0.063 EUR
3000+0.049 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G onsemi mmbta13lt1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 43571 Stücke:
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67+0.26 EUR
110+0.16 EUR
178+0.099 EUR
500+0.072 EUR
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ONSEMI 1708290.pdf Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12017 Stücke:
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MMBTA13LT1G MMBTA13LT1G ONSEMI 1708290.pdf Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12017 Stücke:
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MMBTA13LT1G ON-Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R MMBTA13LT1G MMBTA13LT3G MMBTA13LT1G ON Semiconductor TMMBTA13l
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Mindestbestellmenge: 500
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MMBTA13LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18750+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 18750
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MMBTA13LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1137000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4630+0.031 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4630
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MMBTA13LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1137000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4630+0.031 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4630
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MMBTA13LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7917 Stücke:
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Anzahl Preis
3862+0.037 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3862
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MMBTA13LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3953+0.037 EUR
6757+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3953
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MMBTA13LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3704+0.039 EUR
3732+0.037 EUR
3760+0.036 EUR
3774+0.034 EUR
3803+0.033 EUR
3832+0.031 EUR
3862+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3704
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MMBTA13LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.049 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBTA13LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.053 EUR
9000+0.043 EUR
27000+0.04 EUR
51000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBTA13LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
auf Bestellung 3959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
596+0.12 EUR
881+0.081 EUR
1051+0.068 EUR
1534+0.047 EUR
1767+0.04 EUR
1909+0.037 EUR
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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MMBTA13LT1G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 300mA 30V NPN
auf Bestellung 37827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+0.26 EUR
18+0.16 EUR
100+0.1 EUR
500+0.072 EUR
1000+0.063 EUR
3000+0.049 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
MMBTA13LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 43571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+0.26 EUR
110+0.16 EUR
178+0.099 EUR
500+0.072 EUR
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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MMBTA13LT1G 1708290.pdf
MMBTA13LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12017 Stücke:
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MMBTA13LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12017 Stücke:
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MMBTA13LT1G mmbta13lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R MMBTA13LT1G MMBTA13LT3G MMBTA13LT1G ON Semiconductor TMMBTA13l
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Anzahl Preis
500+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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