MMBTA13LT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBTA13LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 300mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 300mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBTA13LT1G nach Preis ab 0.021 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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MMBTA13LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA13LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA13LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA13LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA13LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
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MMBTA13LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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MMBTA13LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz |
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MMBTA13LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA13LT1G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 300mA 30V NPN |
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MMBTA13LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
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MMBTA13LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 300mA Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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MMBTA13LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 300mA Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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MMBTA13LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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| MMBTA13LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R MMBTA13LT1G MMBTA13LT3G MMBTA13LT1G ON Semiconductor TMMBTA13l Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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