MMBTA13LT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBTA13LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 225mW, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 300mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBTA13LT1G nach Preis ab 0.025 EUR bis 0.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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MMBTA13LT1G | ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 930000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA13LT1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 7017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA13LT1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 7017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA13LT1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA13LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA13LT1G | onsemi |
Darlington Transistors 300mA 30V NPN |
auf Bestellung 3388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA13LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA13LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 30V Power dissipation: 0.225W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Case: SOT23; TO236AB Frequency: 125MHz Collector current: 0.3A |
auf Bestellung 2304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA13LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 300mA Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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MMBTA13LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 225mW Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 300mA Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBTA13LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 930000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 6173+ | 0.029 EUR |
| 6250+ | 0.027 EUR |
| MMBTA13LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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|---|---|
| 3847+ | 0.046 EUR |
| 4017+ | 0.043 EUR |
| 4202+ | 0.039 EUR |
| 4406+ | 0.037 EUR |
| 4609+ | 0.033 EUR |
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| 5129+ | 0.027 EUR |
| 5435+ | 0.026 EUR |
| 6000+ | 0.025 EUR |
| MMBTA13LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3847+ | 0.046 EUR |
| MMBTA13LT1G |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3522+ | 0.051 EUR |
| 9000+ | 0.048 EUR |
| 27000+ | 0.045 EUR |
| 51000+ | 0.043 EUR |
| MMBTA13LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.063 EUR |
| 6000+ | 0.056 EUR |
| MMBTA13LT1G |
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 300mA 30V NPN
Darlington Transistors 300mA 30V NPN
auf Bestellung 3388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.31 EUR |
| 16+ | 0.19 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.096 EUR |
| 1000+ | 0.083 EUR |
| 3000+ | 0.058 EUR |
| MMBTA13LT1G |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 0.31 EUR |
| 108+ | 0.19 EUR |
| 174+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.087 EUR |
| 1000+ | 0.076 EUR |
| MMBTA13LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 125MHz
Collector current: 0.3A
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 125MHz
Collector current: 0.3A
auf Bestellung 2304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBTA13LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBTA13LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 225mW
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA13LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 225mW
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)