MMBTA42LT1 (NPN-Bipolartransistor) ON
Produktcode: 18086
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 50 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 300 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 A
Stromverstärkung h21: 40
Montage: SMD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote MMBTA42LT1 (NPN-Bipolartransistor)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MMBTA42LT1 | ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
verfügbar 3 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBTA42LT1 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
verfügbar 3 Stücke: