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MMBTA42LT1G

MMBTA42LT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA42LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3547+0.041 EUR
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2243+0.062 EUR
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4855+0.027 EUR
5918+0.021 EUR
6061+0.02 EUR
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI MMBTA42LT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 20657 Stücke:
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313+0.23 EUR
481+0.15 EUR
727+0.098 EUR
867+0.083 EUR
1257+0.057 EUR
1462+0.049 EUR
3000+0.041 EUR
6000+0.037 EUR
9000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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524+0.28 EUR
931+0.15 EUR
1471+0.091 EUR
1942+0.066 EUR
2359+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G onsemi mmbta42lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN
auf Bestellung 129289 Stücke:
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10+0.3 EUR
16+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.081 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI 1708291.pdf Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 43585 Stücke:
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI 1708291.pdf Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBTA42LT1G ON-Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1355 Stücke:
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MMBTA42LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 528000 Stücke:
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Anzahl Preis
3704+0.039 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3704 Stücke
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MMBTA42LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 528000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3704+0.039 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3704 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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MMBTA42LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 153000 Stücke:
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Anzahl Preis
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9000+0.036 EUR
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51000+0.032 EUR
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MMBTA42LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 955785 Stücke:
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Anzahl Preis
1301+0.11 EUR
2243+0.062 EUR
3547+0.038 EUR
4855+0.027 EUR
5918+0.021 EUR
6061+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1301 Stücke
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MMBTA42LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 20657 Stücke:
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Anzahl Preis
313+0.23 EUR
481+0.15 EUR
727+0.098 EUR
867+0.083 EUR
1257+0.057 EUR
1462+0.049 EUR
3000+0.041 EUR
6000+0.037 EUR
9000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
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MMBTA42LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2677 Stücke:
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Anzahl Preis
524+0.28 EUR
931+0.15 EUR
1471+0.091 EUR
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2359+0.053 EUR
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MMBTA42LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN
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10+0.3 EUR
16+0.18 EUR
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500+0.083 EUR
1000+0.081 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMBTA42LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 43585 Stücke:
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MMBTA42LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 43585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA42LT1G ONSM-S-A0013307665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTA42LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 1355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH