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MMBTA42LT1G

MMBTA42LT1G ON Semiconductor

mmbta42lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA42LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : onsemi mmbta42lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
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3000+0.06 EUR
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30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD16DC1E78D8469&compId=MMBTA42LT1G.PDF?ci_sign=b51c49060169d1539ad386db729599a26e042872 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
Current gain: 40
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
481+0.15 EUR
676+0.11 EUR
1345+0.05 EUR
2017+0.04 EUR
2137+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD16DC1E78D8469&compId=MMBTA42LT1G.PDF?ci_sign=b51c49060169d1539ad386db729599a26e042872 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
Current gain: 40
Kind of package: reel; tape
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676+0.11 EUR
1345+0.05 EUR
2017+0.04 EUR
2137+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : onsemi mmbta42lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
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100+0.18 EUR
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500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : onsemi MMBTA42LT1_D-1811603.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN
auf Bestellung 43158 Stücke:
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9+0.32 EUR
17+0.17 EUR
100+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : ONSEMI 1708291.pdf Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 79737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : ONSEMI 1708291.pdf Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 79737 Stücke:
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013307665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 387000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBTA42LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbta42lt1-d.pdf Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMBTA42LT1G Hersteller : On Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf NPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=25...40, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBTA42LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; ft, МГц = 50; hFE = 40 @ 30 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA; Р, Вт = 0,225 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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