MMBTA42LT1G ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3704+ | 0.046 EUR |
| 6000+ | 0.044 EUR |
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Technische Details MMBTA42LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBTA42LT1G nach Preis ab 0.024 EUR bis 0.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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MMBTA42LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 366000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 108000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 108000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 955785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
auf Bestellung 16011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN |
auf Bestellung 137787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 29747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 29747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA42LT1G | On Semiconductor |
NPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=25...40, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBTA42LT1G | ON-Semiconductor |
Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBTA42LT1G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 313 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBTA42LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 366000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3704+ | 0.046 EUR |
| 6000+ | 0.044 EUR |
| MMBTA42LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3611+ | 0.048 EUR |
| 6000+ | 0.046 EUR |
| MMBTA42LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3650+ | 0.048 EUR |
| MMBTA42LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3547+ | 0.049 EUR |
| 9000+ | 0.044 EUR |
| 27000+ | 0.042 EUR |
| 51000+ | 0.038 EUR |
| 102000+ | 0.037 EUR |
| MMBTA42LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.068 EUR |
| 6000+ | 0.061 EUR |
| MMBTA42LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3059+ | 0.082 EUR |
| 9000+ | 0.074 EUR |
| MMBTA42LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 955785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1292+ | 0.13 EUR |
| 2228+ | 0.075 EUR |
| 3522+ | 0.046 EUR |
| 4808+ | 0.032 EUR |
| 5848+ | 0.025 EUR |
| 6135+ | 0.024 EUR |
| MMBTA42LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 16011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 358+ | 0.24 EUR |
| 527+ | 0.17 EUR |
| 765+ | 0.11 EUR |
| 900+ | 0.095 EUR |
| 1286+ | 0.067 EUR |
| 1484+ | 0.057 EUR |
| 1603+ | 0.054 EUR |
| 3000+ | 0.046 EUR |
| 6000+ | 0.042 EUR |
| MMBTA42LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 520+ | 0.33 EUR |
| 923+ | 0.18 EUR |
| 1460+ | 0.11 EUR |
| 1924+ | 0.081 EUR |
| MMBTA42LT1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN
auf Bestellung 137787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.36 EUR |
| 16+ | 0.21 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.099 EUR |
| 1000+ | 0.096 EUR |
| 3000+ | 0.088 EUR |
| MMBTA42LT1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 0.38 EUR |
| 95+ | 0.23 EUR |
| 153+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.088 EUR |
| MMBTA42LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 29747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 559+ | 0.45 EUR |
| 981+ | 0.24 EUR |
| 1575+ | 0.13 EUR |
| 2151+ | 0.1 EUR |
| 2488+ | 0.086 EUR |
| MMBTA42LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 29747 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 559+ | 0.45 EUR |
| 981+ | 0.24 EUR |
| 1575+ | 0.13 EUR |
| 2151+ | 0.1 EUR |
| 2488+ | 0.086 EUR |
| MMBTA42LT1G |
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Hersteller: On Semiconductor
NPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=25...40, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
NPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=25...40, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBTA42LT1G |
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Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1355 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.1 EUR |
| MMBTA42LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 313 Stücke:







