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MMBTA42LT1G

MMBTA42LT1G ON Semiconductor

mmbta42lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA42LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 228000 Stücke:
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 228000 Stücke:
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6000+0.048 EUR
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ON Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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4099+0.042 EUR
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G onsemi mmbta42lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.073 EUR
6000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G onsemi mmbta42lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN
auf Bestellung 47420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.36 EUR
14+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G onsemi mmbta42lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
95+0.23 EUR
153+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI 1708291.pdf Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
477+0.52 EUR
807+0.29 EUR
1271+0.17 EUR
1734+0.12 EUR
1985+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI 1708291.pdf Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18262 Stücke:
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500+0.52 EUR
807+0.29 EUR
1271+0.17 EUR
1734+0.12 EUR
1985+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G On Semiconductor MMBTA42LT1%2C%20MMBTA43LT1.pdf NPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=25...40, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G ONSEMI MMBTA42LT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 12296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBTA42LT1G ON-Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1195 Stücke
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MMBTA42LT1G ON-Semiconductor mmbta42lt1-d.pdf Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.064 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.064 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 788785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2470+0.073 EUR
4099+0.042 EUR
6212+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 2470 Stücke
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MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.073 EUR
6000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V NPN
auf Bestellung 47420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.36 EUR
14+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
MMBTA42LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+0.38 EUR
95+0.23 EUR
153+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MMBTA42LT1G 1708291.pdf
MMBTA42LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
477+0.52 EUR
807+0.29 EUR
1271+0.17 EUR
1734+0.12 EUR
1985+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA42LT1G 1708291.pdf
MMBTA42LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA42LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.52 EUR
807+0.29 EUR
1271+0.17 EUR
1734+0.12 EUR
1985+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1%2C%20MMBTA43LT1.pdf
MMBTA42LT1G
Hersteller: On Semiconductor
NPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=25...40, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA42LT1G MMBTA42LT1G.PDF
MMBTA42LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 12296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA42LT1G mmbta42lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 40; 300mW; 300V; 500mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA42LT1G; MMBTA42LT3G; MMBTA42LT1G TMMBTA42lt1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH