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MMBTA55

MMBTA55 YANGJIE TECHNOLOGY

FAIRS46912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBTA55_Rev2014.pdf
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
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Technische Details MMBTA55 YANGJIE TECHNOLOGY

Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 350 mW.

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MMBTA55 MMBTA55 ON Semiconductor mpsa55-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA55 MMBTA55 onsemi FAIRS46912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
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