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MMBTA56-7-F

MMBTA56-7-F Diodes Zetex

mmbta55_mmbta56.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA56-7-F Diodes Zetex

Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: AEC-Q101.

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MMBTA56-7-F MMBTA56-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbta55_mmbta56.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA56-7-F MMBTA56-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbta55_mmbta56.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA56-7-F MMBTA56-7-F Hersteller : Diodes Incorporated MMBTA55_MMBTA56.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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MMBTA56-7-F MMBTA56-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBTA55_MMBTA56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 310mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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MMBTA56-7-F MMBTA56-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBTA55_MMBTA56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 310mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
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MMBTA56-7-F MMBTA56-7-F Hersteller : Diodes Incorporated MMBTA55_MMBTA56.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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MMBTA56-7-F MMBTA56-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002832724_1-2512701.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 300mW
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9000+ 0.046 EUR
24000+ 0.042 EUR
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MMBTA56-7-F MMBTA56-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbta55_mmbta56.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA56-7-F MMBTA56-7-F Hersteller : Diodes Inc 115229414417412ds30054.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA56-7-F MMBTA56-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmbta55_mmbta56.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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