MMBTA56-AQ Diotec Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 112+ | 0.19 EUR |
| 197+ | 0.11 EUR |
| 228+ | 0.092 EUR |
| 272+ | 0.077 EUR |
| 300+ | 0.07 EUR |
| 500+ | 0.065 EUR |
| 1000+ | 0.062 EUR |
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Technische Details MMBTA56-AQ Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBTA56-AQ nach Preis ab 0.077 EUR bis 0.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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MMBTA56-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBTA56-AQ |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 758+ | 0.33 EUR |
| 944+ | 0.25 EUR |
| 1950+ | 0.11 EUR |
| 2393+ | 0.089 EUR |
| 2771+ | 0.077 EUR |
| MMBTA56-AQ |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-236
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 758+ | 0.33 EUR |
| 944+ | 0.25 EUR |
| 1950+ | 0.11 EUR |
| 2393+ | 0.089 EUR |
| 2771+ | 0.077 EUR |