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MMBTA56-TP

MMBTA56-TP MCC (Micro Commercial Components)

MMBTA55-MMBTA56(SOT-23).pdf
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.041 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.034 EUR
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21000+0.029 EUR
30000+0.028 EUR
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Technische Details MMBTA56-TP MCC (Micro Commercial Components)

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBTA56-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote MMBTA56-TP nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMBTA56-TP MMBTA56-TP MCC (Micro Commercial Components) MMBTA55-MMBTA56(SOT-23).pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 36564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.21 EUR
137+0.13 EUR
225+0.078 EUR
500+0.057 EUR
1000+0.05 EUR
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MMBTA56-TP MMBTA56-TP Micro Commercial Components mmbta55-mmbta56sot-23.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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MMBTA56-TP MMBTA56-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) MMBTA55-MMBTA56(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBTA56-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 1880 Stücke:
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MMBTA56-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
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Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBTA56-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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Wandlerpolarität: PNP
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBTA56-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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