MMBTH10-7-F Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.052 EUR |
| 6000+ | 0.05 EUR |
| 9000+ | 0.049 EUR |
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Technische Details MMBTH10-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MMBTH10-7-F nach Preis ab 0.056 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MMBTH10-7-F | Diodes Incorporated |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
auf Bestellung 13775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTH10-7-F | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW |
auf Bestellung 6789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTH10-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MMBTH10-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBTH10-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
auf Bestellung 13775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 125+ | 0.14 EUR |
| 186+ | 0.095 EUR |
| 214+ | 0.082 EUR |
| 254+ | 0.069 EUR |
| 280+ | 0.063 EUR |
| 500+ | 0.059 EUR |
| 1000+ | 0.056 EUR |
| MMBTH10-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW
Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW
auf Bestellung 6789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.39 EUR |
| 13+ | 0.22 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.095 EUR |
| MMBTH10-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1110 Stücke:
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| MMBTH10-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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