MMBTH10LT1G ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 11765+ | 0.046 EUR |
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Technische Details MMBTH10LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 4mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MMBTH10LT1G nach Preis ab 0.037 EUR bis 0.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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MMBTH10LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 817161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) |
auf Bestellung 841969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz Current gain: 60...240 |
auf Bestellung 1286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN |
auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 4mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBTH10LT1G-- |
auf Bestellung 42200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MMBTH10LT1G | Hersteller : LGE |
NPN 25V SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MMBTH10LT1G | Hersteller : On Semiconductor |
TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBTH10LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBTH10LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |