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MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G ON Semiconductor

mmbth10lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTH10LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 4mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
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3000+0.048 EUR
6000+0.046 EUR
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15000+0.044 EUR
21000+0.043 EUR
75000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+0.049 EUR
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auf Bestellung 18239 Stücke:
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Anzahl Preis
2434+0.059 EUR
2578+0.054 EUR
2740+0.049 EUR
2924+0.044 EUR
3135+0.04 EUR
6000+0.035 EUR
15000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 2434
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18239 Stücke:
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2084+0.069 EUR
2189+0.064 EUR
2305+0.058 EUR
2434+0.053 EUR
2578+0.048 EUR
2740+0.043 EUR
2924+0.039 EUR
3135+0.036 EUR
6000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 2084
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : onsemi MMBTH10LT1_D-1811631.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
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35+0.081 EUR
100+0.062 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.055 EUR
3000+0.049 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
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232+0.076 EUR
278+0.064 EUR
306+0.058 EUR
500+0.054 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Kind of transistor: RF
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
603+0.12 EUR
857+0.084 EUR
971+0.074 EUR
1104+0.065 EUR
1583+0.045 EUR
1673+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Kind of transistor: RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
603+0.12 EUR
857+0.084 EUR
971+0.074 EUR
1104+0.065 EUR
1583+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8109 Stücke:
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTH10LT1G--
auf Bestellung 42200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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