MMBTH10LT1G ON
Produktcode: 175304
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 650 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 25 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 В
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.24 EUR |
| 10+ | 0.21 EUR |
| 100+ | 0.19 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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MMBTH10LT1G | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 760161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
auf Bestellung 7694 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 4mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 20890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 4mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 20890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTH10LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz Kind of transistor: RF |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MMBTH10LT1G | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MMBTH10LT1G | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 213 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMBTH10LT1G-- |
auf Bestellung 42200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 760161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11765+ | 0.057 EUR |
| 100000+ | 0.046 EUR |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11765+ | 0.057 EUR |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.06 EUR |
| 6000+ | 0.057 EUR |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
auf Bestellung 7694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 112+ | 0.19 EUR |
| 193+ | 0.11 EUR |
| 224+ | 0.094 EUR |
| 266+ | 0.079 EUR |
| 294+ | 0.071 EUR |
| 500+ | 0.067 EUR |
| 1000+ | 0.063 EUR |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 0.21 EUR |
| 27+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.083 EUR |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 962+ | 0.26 EUR |
| 1136+ | 0.2 EUR |
| 1387+ | 0.15 EUR |
| 1799+ | 0.12 EUR |
| 1985+ | 0.11 EUR |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 962+ | 0.26 EUR |
| 1136+ | 0.2 EUR |
| 1387+ | 0.15 EUR |
| 1799+ | 0.12 EUR |
| 1985+ | 0.11 EUR |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Kind of transistor: RF
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Kind of transistor: RF
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBTH10LT1G-- |
auf Bestellung 42200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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| MMBT5401LT1G Produktcode: 34131
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 300 MHz
Spannung Uce, V: 150 V
Spannung Ucb, V: 160 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 240
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 300 MHz
Spannung Uce, V: 150 V
Spannung Ucb, V: 160 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 240
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 0.079 EUR |
| 22+ | 0.055 EUR |
| 100+ | 0.043 EUR |
| 1000+ | 0.032 EUR |
| R16 5 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15) Produktcode: 28628
11
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: KLS
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 5 kOhm
Beschreibung: Kohle Potentiometer linear, Mono
Typ: Dreh
Abmessungen: D=17 mm
Leistung: 0,06 Вт
Welle: 15 мм
Kennlinie: linear
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 5 kOhm
Beschreibung: Kohle Potentiometer linear, Mono
Typ: Dreh
Abmessungen: D=17 mm
Leistung: 0,06 Вт
Welle: 15 мм
Kennlinie: linear
verfügbar: 91 St.
- 91 St. - stock Köln
erwartet: 500 St.
- 500 St. - erwartet 27.10.2026
auf Bestellung: 140 St.
- 140 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.81 EUR |
| 10+ | 0.45 EUR |
| 2SC3356 (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 27278
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 7 GHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 12 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 20 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 7 GHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 12 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 20 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
verfügbar: 120 St.
- 120 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1335 St.
- 1335 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.18 EUR |
| 10+ | 0.15 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| Kiefernkolophonium 20 г Produktcode: 26961
3
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Ремпласт
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Kategorie: Kolophonium
Beschreibung: Kiefernkolophonium. Wird als Flussmittel zum Entfernen von Oxidschichten und Verunreinigungen von der Metalloberfläche sowie zu deren Schutz vor Oxidation beim Löten verwendet.
Gewicht/Volumen/Menge: 20 g
Konsistenz: Fest
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Kategorie: Kolophonium
Beschreibung: Kiefernkolophonium. Wird als Flussmittel zum Entfernen von Oxidschichten und Verunreinigungen von der Metalloberfläche sowie zu deren Schutz vor Oxidation beim Löten verwendet.
Gewicht/Volumen/Menge: 20 g
Konsistenz: Fest
auf Bestellung: 370 St.
- 370 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.96 EUR |
| 10+ | 0.82 EUR |
| 1nF 2000V X7R 10% 1206 3k/reel (1206B102K202N3-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD) Produktcode: 11455
2
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 2000 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 1 nF
Nennspannung: 2000 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
erwartet: 6000 St.
- 3000 St. - erwartet
- 3000 St. - erwartet
auf Bestellung: 1345 St.
- 1345 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 0.1 EUR |
| 100+ | 0.058 EUR |
| 1000+ | 0.051 EUR |
| 10000+ | 0.036 EUR |









