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MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G ON

datasheet-mmbth10lt1g.pdf
Produktcode: 175304
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 650 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 30 V
ZCODE: SMD
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
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3000+0.047 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.043 EUR
30000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2513+0.058 EUR
2653+0.053 EUR
2809+0.048 EUR
2986+0.043 EUR
3175+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
15000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 2513
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18239 Stücke:
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2174+0.066 EUR
2278+0.061 EUR
2393+0.056 EUR
2513+0.051 EUR
2653+0.047 EUR
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6000+0.033 EUR
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 60...240
Frequency: 650MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
758+0.094 EUR
863+0.083 EUR
1087+0.066 EUR
1180+0.061 EUR
1292+0.055 EUR
1583+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 60...240
Frequency: 650MHz
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1292+0.055 EUR
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : onsemi MMBTH10LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
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19+0.15 EUR
37+0.077 EUR
100+0.06 EUR
500+0.055 EUR
1000+0.051 EUR
3000+0.048 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
auf Bestellung 51425 Stücke:
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Anzahl Preis
112+0.16 EUR
205+0.086 EUR
234+0.075 EUR
280+0.063 EUR
308+0.057 EUR
500+0.054 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 112
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6549 Stücke:
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTH10LT1G--
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DP-25C (DSC-225) (Gehause fur Steckverbindung)
Produktcode: 11349
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DP-25C (DSC-225) (Gehause fur Steckverbindung)
Hersteller: CviLux
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Beschreibung: Gehause fur Kabel 25-x Kontakt. komp.- Steckverbindung, Kunststoff
Stecker oder Steckdose: Teile Steckverbinder, Gehause
Anzahl, Kontakte: 25
Серія: DB
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.36 EUR
10+0.29 EUR
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1000uF 25V EHR 13x21mm (EHR102M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 2989
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EHR_081225.pdf
1000uF 25V EHR 13x21mm (EHR102M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 13х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 103 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartet 25.12.2025
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
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PDTC114ET (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2553
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PDTC114ET.pdf
PDTC114ET (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
Bem.: 10к+10к
ZCODE: SMD
verfügbar: 3150 Stück
250 Stück - stock Köln
2900 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.06 EUR
100+0.031 EUR
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BAT17-04
Produktcode: 1668
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BAT17-.pdf
BAT17-04
Hersteller: Infineon
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOT-23
Vrrm(V): 4
If(A): 0,13
VF@IF: 0,6
Bemerkung: zwei
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
auf Bestellung 179 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5 Stück:
5 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.2 EUR
10+0.16 EUR
100+0.11 EUR
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IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173
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irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 7572 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.12 EUR
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