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MMBTH81

MMBTH81 ON Semiconductor

mpsh81-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT PNP 20V 0.05A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTH81 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTH81 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: -50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 600MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : onsemi mpsh81-d.pdf Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : ON Semiconductor mpsh81-d.pdf Trans RF BJT PNP 20V 0.05A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : onsemi / Fairchild MMBTH81-D.PDF RF Bipolar Transistors PNP RF Transistor
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : onsemi mpsh81-d.pdf Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 100
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : ONSEMI mpsh81-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; RF; 20V; 50mA; 225mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT23
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 600MHz
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 2482 Stücke:
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Anzahl Preis
334+0.21 EUR
417+0.17 EUR
481+0.15 EUR
575+0.12 EUR
650+0.11 EUR
725+0.099 EUR
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : ONSEMI mpsh81-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; RF; 20V; 50mA; 225mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT23
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 600MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
417+0.17 EUR
481+0.15 EUR
575+0.12 EUR
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725+0.099 EUR
794+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 334
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : ON Semiconductor mpsh81-d.pdf Trans RF BJT PNP 20V 0.05A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : ONSEMI mpsh81-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTH81 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: -50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7125 Stücke:
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : ONSEMI 2304302.pdf Description: ONSEMI - MMBTH81 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: -50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : ON Semiconductor mpsh81-d.pdf Trans RF BJT PNP 20V 0.05A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTH81
Produktcode: 192503
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : ONSEMI 2304302.pdf Description: ONSEMI - MMBTH81 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: -50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 600MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : ON Semiconductor mpsh81-d.pdf Trans RF BJT PNP 20V 0.05A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTH81 Hersteller : ON-Semicoductor mpsh81-d.pdf PNP 20V 600MHz 225mW 50mA MMBTH81 TMMBTH81
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMBTH81 MMBTH81 Hersteller : ON Semiconductor mpsh81-d.pdf Trans RF BJT PNP 20V 0.05A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
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