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MMBTRC105SS

MMBTRC105SS Diotec Semiconductor

mmbtrc101ss.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: BIASED BJT SOT23 NPN 2.2KOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2840 Stücke:
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500+0.06 EUR
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Technische Details MMBTRC105SS Diotec Semiconductor

Description: BIASED BJT SOT23 NPN 2.2KOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Weitere Produktangebote MMBTRC105SS nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTRC105SS MMBTRC105SS Hersteller : Diotec Semiconductor mmbtrc101ss.pdf Digital Transistors Digital Transistor, SOT-23, 50V, 100mA
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MMBTRC105SS Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbtrc101ss.pdf MMBTRC105SS-DIO NPN SMD transistors
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MMBTRC105SS MMBTRC105SS Hersteller : Diotec Semiconductor mmbtrc101ss.pdf Description: BIASED BJT SOT23 NPN 2.2KOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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