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MMBZ16VALFHT116

MMBZ16VALFHT116 ROHM Semiconductor


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Hersteller: ROHM Semiconductor
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 225mW 15.2-16.8Vbr A-common SOT-23 TVS
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Technische Details MMBZ16VALFHT116 ROHM Semiconductor

Category: Protection diodes - arrays, Description: Diode: TVS array; 16V; 1.7A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2, Case: SOT23, Kind of package: reel; tape, Type of diode: TVS array, Mounting: SMD, Leakage current: 50nA, Max. forward impulse current: 1.7A, Number of channels: 2, Max. off-state voltage: 13V, Breakdown voltage: 16V, Peak pulse power dissipation: 40W, Application: automotive industry, Semiconductor structure: common anode; double.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBZ16VALFHT116 MMBZ16VALFHT116 Hersteller : Rohm Semiconductor mmbz16valfh-e.pdf Description: TVS DIODE 13VWM 23VC SSD3
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MMBZ16VALFHT116 MMBZ16VALFHT116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR mmbz16valfh-e.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 16V; 1.7A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
Max. forward impulse current: 1.7A
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 16V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common anode; double
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