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MMBZ18VALT1G

MMBZ18VALT1G ON Semiconductor

mmbz5v6alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBZ18VALT1G ON Semiconductor

Description: DIODE ZENER 14.5V SOT23-3, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Configuration: 1 Pair Common Anode, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.5 V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 17.1V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 14.5 V.

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MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G Hersteller : onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 14.5V SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.5 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 14.5 V
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MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G Hersteller : ONSEMI MMBZ_ser.PDF Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 18V; 1.6A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5%
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 1.6A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 14.5V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 50nA
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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1565+ 0.046 EUR
1745+ 0.041 EUR
2275+ 0.031 EUR
2405+ 0.03 EUR
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MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G Hersteller : ONSEMI MMBZ_ser.PDF Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 18V; 1.6A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5%
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 1.6A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 14.5V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 50nA
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
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MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G Hersteller : onsemi MMBZ5V6ALT1_D-2315988.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes 15V 225mW Dual Common Anode
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30000+ 0.06 EUR
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MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G Hersteller : onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 14.5V SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.5 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 14.5 V
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MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G Hersteller : ONSEMI 2236796.pdf Description: ONSEMI - MMBZ18VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.1V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.9V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 14.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 25V
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MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G Hersteller : ONSEMI 2236796.pdf Description: ONSEMI - MMBZ18VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.1V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.9V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 14.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 25V
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MMBZ18VALT1G MMBZ18VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23 T/R
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