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MMBZ6V8ALT1G

MMBZ6V8ALT1G onsemi

mmbz5v6alt1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE ZENER 4.5V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.46V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.6V
Power - Peak Pulse: 24W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Tolerance: ±5%
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.5 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4.5 V
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Technische Details MMBZ6V8ALT1G onsemi

Description: DIODE ZENER 4.5V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 6.46V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.6V, Power - Peak Pulse: 24W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Tolerance: ±5%, Configuration: 1 Pair Common Anode, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.5 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4.5 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MMBZ6V8ALT1G MMBZ6V8ALT1G Hersteller : ONSEMI MMBZ_ser.PDF Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.8V; 2.5A; 24W; double,common anode; SOT23; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 24W
Max. off-state voltage: 4.5V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 2.5A
Semiconductor structure: common anode; double
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protection
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 385 Stücke:
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264+0.27 EUR
313+ 0.23 EUR
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MMBZ6V8ALT1G MMBZ6V8ALT1G Hersteller : ONSEMI MMBZ_ser.PDF Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.8V; 2.5A; 24W; double,common anode; SOT23; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 24W
Max. off-state voltage: 4.5V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 2.5A
Semiconductor structure: common anode; double
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protection
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Anzahl Preis ohne MwSt
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313+ 0.23 EUR
385+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 264
MMBZ6V8ALT1G MMBZ6V8ALT1G Hersteller : onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 4.5V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.46V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.6V
Power - Peak Pulse: 24W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Tolerance: ±5%
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.5 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4.5 V
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MMBZ6V8ALT1G MMBZ6V8ALT1G Hersteller : onsemi MMBZ5V6ALT1_D-2315988.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes 6.8V 225mW Dual Common Anode
auf Bestellung 491 Stücke:
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24000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 103
MMBZ6V8ALT1G MMBZ6V8ALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 4.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
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MMBZ6V8ALT1G MMBZ6V8ALT1G Hersteller : ONSEMI 2236796.pdf Description: ONSEMI - MMBZ6V8ALT1G - TVS-Diode, TVS, MMBZ6, Bidirektional, 9.6 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.46V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 7.14V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Spitzenimpulsverlustleistung: 24W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
Klemmspannung, max.: 9.6V
auf Bestellung 60000 Stücke:
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MMBZ6V8ALT1G Hersteller : On Semiconductor/Fairchild mmbz5v6alt1-d.pdf
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)